南智光电薄膜铌酸锂光子芯片产线正式启动

  4月11日，江苏南京南智先进光电集成技术研究院（以下简称“南智光电”）铌酸锂光子芯片产线启动仪式在新区举行。

  该项目配备3.5亿元规模设备、5000m2超净间，覆盖了整个产业链的核心工艺，月产能一千片晶圆。本次启用的产线具备了光刻、刻蚀、镀膜、研抛、湿法等系列核心技术工艺，这意味着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展。

  据了解，2018年，在南京大学和南京江北新区支持下，现中国科学院院士、江苏省光电技术创新中心主任祝世宁带领团队在新区产业技术研创园落地南智光电，并负责建设运营光电公共技术平台，瞄准下一代光电芯片技术在基础材料、器件工艺等方面的需求，开展研发工作。

  今年初，南智光电启动平台二期建设，目前二期平台已经具备一定量产能力，月前才刚刚下线一批8英寸生物基因检测芯片，相关性能指标全部符合客户定制要求。祝世宁表示，未来以铌酸锂光子芯片产线为基础，南智光电将能够面向国内外光电企业提供芯片研发及流片支持。