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美国芯片法案下 台积电恐首当其冲

摘要:根据《芯片法案》新细则来看,台积电获美方补贴后十年内,大陆Fab16南京厂的16/12nm以及28/22nm产能扩充将受限,且当中85%产出须满足大陆当地市场需求,加上美国出口规范要求跨国晶圆代工业者需申请设备进口许可证等,将降低台积电未来在大陆的投资意愿。

  ICC讯  据经济日报报道,TrendForce13日报告显示美国《芯片法案》补贴细则明文规定获补助者未来十年在中国大陆、朝鲜、伊朗与俄罗斯等,将被限制包含先进制程与成熟制程在内的相关投资活动,台积电恐首当其冲。

  TrendForce认为,根据《芯片法案》新细则来看,台积电获美方补贴后十年内,大陆Fab16南京厂的16/12nm以及28/22nm产能扩充将受限,且当中85%产出须满足大陆当地市场需求,加上美国出口规范要求跨国晶圆代工业者需申请设备进口许可证等,将降低台积电未来在大陆的投资意愿。

  根据美国商务部的资料,针对美国的《芯片法案》,美国从3月31日开始接受前端芯片制造和封测产业的投资申请,5月1日起接受成熟制程的申请,6月26日开始接受所有项目的申请,美国《芯片法案》的影响将逐渐显现。

  据台媒经济日报10日报道,台积电表示正在与美国政府就其旨在促进美国半导体制造的《芯片法案》细则进行沟通,该公司也表达了在补贴标准方面的担忧。

内容来自:爱集微
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关键字: 芯片 法案 台积电
文章标题:美国芯片法案下 台积电恐首当其冲
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