联电抢攻8英寸第三代半导体，新机台预计下半年进驻厂区

  ICC讯  5月9日，据台媒《经济日报》报道，联电晶圆代工成熟制程订单充裕，毛利率冲高之际，布局当红的第三代半导体也再进化，主攻难度更高、经济效益更好的8英寸晶圆第三代半导体制造领域，近期大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区。

  图源：经济日报

  报道称，法人指出，“联家军”出身的大将已在中国台湾地区第三代半导体抢下一片天。例如联电前资深副总经理徐建华退休后，转战汉磊投控，出任汉磊投控旗下汉磊与嘉晶两家公司董事长，并成功带领汉磊与嘉晶量产第三代半导体产品。

  另外，联电此前第三代半导体布局，主要透过转投资联颖切入，锁定6英寸氮化镓产品，主要考量目前业界氮化镓整体解决方案提供者较少。目前，联颖正在进行技术平台建置，完成后会把平台开放给设计公司客户使用，扩大接单利益基础。

  供应链则透露，联电近期扩大第三代半导体布局，自行购置蚀刻、薄膜新机台，预计下半年将进驻8英寸AB厂，瞄准8英寸晶圆生产第三代半导体的经济效益优于6英寸晶圆的方向，全力抢第三代半导体商机。对此，联电财务长刘启东回应，集团在第三代半导体的发展上，仍以联颖为主，联电则进行研发，不过确实有在合作，但细节不便透露。

  业界分析，第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚，很容易导致晶圆弯曲，鉴于制程难度，目前业界发展第三代半导体多以6英寸为主。不过，6英寸晶圆半径是5公分，8英寸晶圆半径则是10公分，所以8英寸相对6英寸，一片可以产出的芯片量会“多出很多”，在经济效益较高的前提下，联电选择切入8英寸第三代半导体领域。