用户名: 密码: 验证码:

2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm:首发GAA工艺

摘要:在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。

 ICC讯  在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。

  从2019年开始,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电

  在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

  但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

  最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

  值得一提的是,台积电也似乎感受到了三星的压力,原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

【加入收藏夹】  【推荐给好友】 
1、凡本网注明“来源:讯石光通讯网”及标有原创的所有作品,版权均属于讯石光通讯网。未经允许禁止转载、摘编及镜像,违者必究。对于经过授权可以转载我方内容的单位,也必须保持转载文章、图像、音视频的完整性,并完整标注作者信息和本站来源。
2、免责声明,凡本网注明“来源:XXX(非讯石光通讯网)”的作品,均为转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。因可能存在第三方转载无法确定原网地址,若作品内容、版权争议和其它问题,请联系本网,将第一时间删除。
联系方式:讯石光通讯网新闻中心 电话:0755-82960080-168   Right