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台积电高管证实,该公司将按计划在 2021 年开始风险生产 3 纳米 Apple Silicon 芯片,并在 2022 年下半年全面量产。
据台媒报道,业内人士透露,目前台积电FinFET和三星GAA在3nm工艺的开发过程中都遇到了瓶颈。因此二者3nm制程工艺的开发进度都将放缓。
据彭博报道,台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片,单月产能 5.5 万片起。据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。
在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。
据国外媒体报道,在 5nm 工艺大规模投产之后,台积电将投产的下一代重大芯片制程工艺,就将是 3nm,目前正在按计划推进,计划在 2021 年开始风险试产,2022 年下半年大规模投产。台积电 3nm 工艺准备了 4 波产能,其中首波产能中的大部分,将留给他们的大客户苹果。
据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。消息人士透露,台积电的2nm工艺,不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术,而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。
台积电(南京)有限公司总经理罗镇球透露,2021年可以在市面上看到3nm的产品,台积电计划在2022年实现3nm产品的大规模量产。
6 月 10 日消息,据国外媒体报道,台积电将于 2022 年末开始使用 3 纳米芯片制造工艺技术生产芯片,并在改进目前的 5 纳米芯片制造工艺技术。
据台湾媒体报道,受美国禁令影响,台积电5nm扩建延至2021年第一季度。
花旗环球证券分析师称,3nm量产推迟,台积电可能将会把2020年资本支出削减20亿美元。
台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币,约合500亿美元,光是建厂就至少200亿美元了,原本计划6月份试产,现在要延期到10月份了。
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