长光华芯投资10亿元建设先进化合物半导体光电子平台

  ICC讯 近日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司(简称长光华芯)宣布将投资10亿元建设新型先进化合物半导体光电子平台，计划建设总建筑面积约46,293平方米的生产中心、研发中心和动力站及配套设施。此举将提升公司的产品供应能力，进一步巩固和扩大公司的市场份额，有利于完善公司光电子产业链布局。

  据了解，苏州高新区聚焦光子产业发展，推动产业链、资金链、人才链深度融合，以加速打造千亿级光子产业创新集群为目标，持续优化光子产业创新创业生态。

  为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召，长光华芯全资子公司“研究院”与苏州科技城管理委员会签订了《苏州科技城管理委员会与苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司项目投资合作协议》。

  长光华芯拟计划根据项目进程，合理分期投资自有资金及自筹资金10亿元在太湖科学城建设先进化合物半导体光电子平台项目(包括生产中心、研发中心和动力站及配套设施建设，设备采购及后期运营等)。本项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括 6-8 寸器件封测生产线建设)。

  项目计划2023年开工，2025 年建成投产，本项目预计年产值不低于6亿元，年纳税额3410万元。

  本次投资的项目内容有利于提升长光华芯的产品供应能力，进一步巩固和扩大公司的市场份额。有利于完善公司光电子产业链布局，推动公司与地方政府实现优势互补、互惠。

  长光华芯拟进行的项目建设将增加公司资本开支和现金支出，但对公司长期的业务布局和经营业绩具有积极影响，符合公司整体战略发展规划。