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2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行,陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相,展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股。
在功率和光子学应用强劲扩张的推动下,到2029年,全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展,射频探索新的市场机会。
近期,河北中瓷电子科技股份有限公司举行的投资者关系活动记录,中瓷电子对公司资产整合后氮化镓通信基站射频芯片、碳化硅功率模块的情况及如何看待未来业务发展的趋势等问题进行了解答。
2023年11月,九峰山实验室基于氮化镓(GaN)材料的太赫兹肖特基二极管(SBD)研制成功。经验证,该器件性能已达到国际前沿水平。
10月25日,英飞凌科技股份公司宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)。
MACOM宣布已达成最终协议,以1.25亿美元的价格收购Wolfspeed的射频业务。该射频业务包括用于高性能射频和微波应用的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)产品组合,最近的年化收入约为1.5亿美元。
商务部海关总署决定对镓、锗相关物项实施出口管制,涵盖砷化镓、氮化镓、金属锗、锗外延生长衬底等半导体材料
近日,杭州元芯半导体科技有限公司已经获得数千万元天使+轮融资,由同创伟业领投,浙大校友基金会藕舫天使基金跟投。本次融资资金将主要用于核心产品研发和拓展产品线,以及技术和运营团队建设。此前,公司完成了同创中小基金投资的天使轮融资。
长光华芯投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台,形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力,具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力,具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8寸器件封测生产线建设)。
11月17日,中瓷电子发布并购重组修订公告。中瓷电子拟向中国电科十三所发行股份购买其持有的博威公司 73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债,拟向中国电科十三所、数字之光、智芯互联、电科投资、首都科发、顺义科创、国投天津发行股份购买其合计持有的国联万众94.6029%股权。
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