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中科院半导体所研制出氮化镓(GaN)基大功率紫外激光器,室温连续输出功率2W,电注入激射波长384 nm。
1月17日,河北中瓷电子科技股份有限公司发布筹划发行股份购买资产停牌公告,拟筹划以发行 A 股股份的方式购买中国电子科技集团公司第十三研究所氮化镓通信基站射频芯片业务相关的经营性资产及负债,以及中国电科十三所等股东持有的河北博威集成电路有限公司和北京国联万众半导体科技有限公司的部分股权或全部股权。
美东时间 10 月 20 日,纳微半导体(Navitas)正式开始在纳斯达克全球市场交易,股票代码为“NVTS”。纳微半导体的 GaNFast? 功率芯片集成了氮化镓功率器件以及氮化镓驱动、保护和控制器件,使用简单、外形小巧、充电更快、节能效果更强。截至 2021 年 10 月,已交付 3000 万多颗 GaNFast 功率芯片。
全球范围内5G技术的迅猛发展,为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年,GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元,预计2021年至2027年的复合年增长率将超过30%。
第三代半导体芯片材料方兴未艾,相比较硅基,SiC拥有更高禁带宽度、电导率等优良特性,更适合应用在高功率和高频高速领域。如新能源汽车和5G射频器件。年初,小米发布65W氮化镓USB PD快充充电器,带动第三代半导体应用。
上海芯元基第三代半导体氮化镓项目正式签约落户安徽池州高新区。该UVA及DPSS项目总投资6亿元,规划用地约100亩。
苏州纳米所孙钱团队研制出一种新型氮化镓半导体激光器
重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍,实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,也是重庆市功率半导体、汽车电子产业发展的新兴方向。
荷兰恩智浦半导体公司周二表示,已在美国亚利桑那州钱德勒市(Chandler)开设了一家工厂,生产用于5G电信设备的氮化镓芯片。
台湾三五化合物半导体族群,除发展砷化镓 (GaAs) 外,近期也积极布局氮化镓 (GaN) 市场。宏捷科透过私募引入中美晶集团入股;稳懋十年前就开始布局氮化镓,近年已有成果、小量生产;环宇透过转投资晶成半导体合作 6 吋晶圆厂,发展氮化镓 RF 射频晶圆等。
三安集成于2020年7月3日首次亮相主题为“融合创新 智引未来”的慕尼黑上海电子展,三安集成秉承“专注于化合物半导体技术创新”的理念,提供可持续能源高效电源转换、新能源汽车驱动与充电、数据中心与工业电源相关的碳化硅/氮化镓第三代功率半导体器件,以及自动驾驶雷达和面部3D感测所需的关键光技术芯片代工业务。
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