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新海宜控股子公司收到政府补贴1430万
新海宜控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到《苏州工业园区科技局、财政局关于下达苏州工业园区2013年度科技发展资金的通知》,对新纳晶承担的“高亮度
氮化镓
基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予1430.70万元的资助。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2013/12/26/20131226034221320000.htm
2013/12/26
TriQuint发布15款新型GaN放大器和晶体管
日前,TriQuint发布了15款新型
氮化镓
( GaN )放大器和晶体管以及两套全新的
氮化镓
工艺。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2013/07/03/20130703004857920371.htm
2013/7/3
富士通推出毫米级输出信号增幅器
2010年11月19日消息,富士通昨日宣布推出周波数为70-80GHz,用于毫米波带的无线通信装置零组件。采用了以
氮化镓
制成,电子移动度极高的晶体管(HEMT),是输出功率世界最高的信号输出增幅器,与使用既存的镓砷材料(GaAs)制成的增幅器相比,功率提高至16倍,可通信距离也延伸至10公里的6倍以上。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2010/11/22/20101122012021234375.htm
2010/11/22
【东亚】韩国科学家利用光子晶体结构让发光二极管更亮
韩国科学家利用激光全息技术(holography)的制作工艺,在
氮化镓
(GaN)为主要材料的发光二极管(LED)组件上,刻蚀出二维光子晶体(Photonic Crystal),将输出功率提高了两倍以上
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/12/01/20051201105320765625.htm
2005/12/1
我国
氮化镓
基激光器研究获重大突破
2004年11月16日,由中国科学院半导体研究所承担的国家“863”重大项目“
氮化镓
基激光器(GaN-LD)”获得重大突破。在激光器结构设计、材料生长、腔面解理以
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/11/23/20041123091746453125.htm
2004/11/23
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