我国氮化镓基激光器研究获重大突破

    2004年11月16日，由中国科学院半导体研究所承担的国家“863”重大项目“氮化镓基激光器（GaN－LD）”获得重大突破。在激光器结构设计、材料生长、腔面解理以及测试分析等方面攻克一系列技术难题，在国内首次成功研制具有自主知识产权的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器采用多量子阱增益波导结构 激射波长为410nm，条宽5μｍ，条长800μｍ。氮化镓基激光器（GaN－LD）的研制成功标志着我国氮化镓基光电子材料与器件的研究已进入世界先进行列。

    氮化镓基激光器（GaN－LD）在信息的超高密度光存储、激光打印、深海通信、大气环境检测等领域有广泛的应用前景和巨大的市场需求，是目前氮化镓基光电子材料与器件领域国际上竞争最激烈技术难度最大最具挑战性和标志性的研究方向，为了在GaN－LD研究和产业化的基础上力求创新，研制和开发具有自主知识产权的GaN－LD，使我国在GaN－LD领域的研究和开发在世界上占有一席之地，提升我国光电子领域的整体研究水平，中国科学院半导体研究所承担了国家“863”重大项目“氮化镓基激光器（GaN－LD）”的攻关研发。

   由于GaN－LD在材料生长、器件工艺、器件测试等技术指标难度很大，GaN－LD的研发已经成为世界各国科学家研发的焦点和重点。半导体所的科研人员经过上千炉的实验和两年的艰苦攻关在研制过程中积极创新，形成了具有自主知识产权的GaN－LD的制备技术，攻克了氮化镓基激光器研究中的一系列技术难题包括氮化镓材料的本底电子浓度高的难题目前氮化镓本底电子浓度小于5Ｘ1016／cm3室温电子迁移率达到850cn2／VS，已处于世界领先水平。实现了Al GaN／GaN超晶格界面平整度和应力及腔面解理获得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化镓基激光器的测试技术难题研制开发了具有大电流和短脉冲的脉冲电源满足了氮化镓基激光器的测试要求。科研人员在半导体照明领域具有重要应用的氮化镓基紫光和蓝光发光二极管的研发也取得了重大进展，其发光功率居于国内领先水平。GaN－LD的研制成功标志着我国氮化镓基光电子材料与器件的研究已进入世界先进行列。

    氮化镓基激光器（GaN－LD）研制成功将会在信息技术领域获得巨大的社会价值和经济效益。目前，半导体所的科研人员将加快氮化镓基激光器的研究进程，争取早日研制出具有实用化的器件，同时尽快将高功率氮化镓基紫光和蓝光发光二极管实现产业化，为我国经济发展做出积极贡献。

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