HiLight宣布自有的激光自动消光比控制技术获得美国专利

  ICCSZ讯 HiLight Semiconductor宣布获得一项美国专利，专利涵盖光纤到户(FTTH)应用中激光发射器的自动控制技术。HiLight声称该专利在提高设备可靠性的同时可显著降低光网络单元(ONU)用户盒的制造和开发成本。

  美国专利号10,205,532涵盖HiLight自研的自动消光比控制系统技术，即所谓的“双环”发射器控制反馈环路，专门为成本敏感且量大的FTTH光通信市场设计。HiLight预计在其他司法管辖区例如中国和日本也将获得该专利的批准。

  本专利是行业的一个重大突破，其在全温下能稳定地自动且准确控制发射器输出功率和光调制幅度。HiLight已把此专利应用于该公司在10G-PON市场的”Combo”IC芯片，HiLight的HLC10P0对称收发器芯片和HLC10P1非对称收发器芯片可简化发射器激光器的设置和控制，芯片应用于光收发器模块或者可直接置于BOSA-on-Board ONU电路板上。这项技术在加快产出的同时还可有效地延长激光器寿命，因为激光老化可自适应无需在厂高温设置，故此也减少了出厂后发射器的故障率。

  虽然HLC10P0/1专为10G-PON应用而设计，但HiLight的专利及技术既可用于更低数据速率也可用于更高数据速率的下一代PON。

  HiLight半导体公司还拥有用于光通信物理层(PMD和PHY)芯片相关的各种专利，其中包括应用于高灵敏度跨阻抗放大器(STIA)设计上的若干专利，其在取代FTTH ONU接收器中的雪崩光电二极管(APD)发挥重要作用。

  HiLight将在2019年3月圣地亚哥OFC展会上展示其CMOS产品系列。HiLight OFC会议室6609。

  关于HiLight Semiconductor Limited:

  HiLight半导体是一家风投机构投资的芯片设计公司，2012年由有丰富初创企业经验的人员所创立。专注于几十纳米级CMOS工艺并提供用于高速光纤通信和网络/数据中心应用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  目前为止，HiLight已经向PON、数据中心和网络市场销售了约7000万个芯片。

  HiLight的总部位于英国南安普敦，在英国布里斯托尔设有设计中心，并在中国大陆(深圳，武汉)、台湾和日本设有销售以及技术支持办事处。