Hilight半导体宣布全球首款对称10G-PON ONU纯CMOS ‘Combo’ IC量产

      ICCSZ讯 HiLight半导体很高兴地宣布5合1收发器(Transceiver)芯片HLC10P0已经开始量产,该芯片应用于对称10G-PON BOSA-on-Board(BoB)和SFP+模块。HLC10P0与HiLight的CMOS跨阻放大器(TIA)HLR10G1组合,为对称10G-PON应用提供完整的CMOS套片方案。

      10G-PON ONU 'Combo'芯片HLC10P0采用纯CMOS设计，具有高度集成的5合1功能,包括：限幅放大器接收器、突发模式发射机、自主专利激光双闭环功率和消光比控制、PWM APD偏置控制器和提供数字监控的带嵌入式固件8051微处理器。该芯片最大偏置电流为115mA，适用基于DML的NG-PON2以及10G-EPON和XGS-PON。与其它类似芯片区别之一是HLC10P0的发射端输出级具有足够的余量，因此不需要任何外部直流转换器来提升激光器电源电压。HLC10P0与HiLight已量产的HLC10P1芯片引脚完全兼容，HLC10P1应用于非对称的10G-PON。

      HiLight将在中国深圳2018年光博会(CIOE)上展示基于HLC10P0芯片的对称10G-PON ONU BoB参考设计方案，该方案采用HiLight的’Combo’芯片HLC10P0和10G TIA HLR10G1纯CMOS套片，整个参考设计方案的功耗低于750mW @ 3.3V。

      “10G-PON光器件和设备现已开始发货，全球的运营商都在积极部署10G-PON。技术的创新正在大幅降低下一代PON特别是对称10G-PON光器件的成本。”Ovum首席分析师Julie Kunstler评论道，“因此，我们看到10G-PON的量正在上升，而到2023年，下一代光器件的营收将会占PON光器件总营收的80％以上。“

      HiLight营销副总Christian Rookes评论道: “HiLight基于HLC10P0芯片的10G-PON对称BoB参考设计方案展示了市场领先的性能。HLC10P0集成了低功耗双闭环 10G突发模式激光驱动器，全温范围能自动控制发射器消光比保持在±1dB以内，且使用双闭环产生的额外功耗小到可忽略不计。HLC10P0接收器灵敏度的典型值优于-32dBm @ BER 1E-3。”

      销售副总Jess Brown评论道:“随着HLC10P0芯片的推出，HiLight现在可给客户提供10G对称和非对称ONU的纯CMOS芯片方案，覆盖包括BOSA-on-Board和SFP+模块的整个10G-PON ONU市场。使用HiLight的CMOS产品能帮助客户大幅降低功耗和降低BOM成本，且芯片内嵌MCU的设计灵活性可为客户产品未来的升级提供保障。此外，我们还可以根据客户的需要提供定制的固件解决方案。”

HiLight Semiconductor Limited 公司简介：

      HiLight半导体是一家风投机构投资的芯片设计公司，2012年由有丰富初创企业经验的人员所创立。专注于几十纳米级CMOS工艺并提供用于高速光纤通信和网络/数据中心应用的高性能的PMD和PHY 芯片。

      目前为止，HiLight已经向PON、数据中心和网络市场销售了约6000万个芯片。

      HiLight的总部位于英国南安普敦，在英国布里斯托尔设有设计中心，并在中国大陆(深圳，武汉)、台湾和日本设有销售以及技术支持办事处。