硅光已至！SiFotonics清华大学宣讲 共聊硅光前景

　　Iccsz讯  硅光子技术的创业先锋、领军企业之一SiFotonics Technologies将走进清华大学电子工程系，届时SiFotonics CEO潘栋博士及清华校友代表将与您面对面互动交流，与您分享SiFotonics硅光子技术的前世、今生和未来。

        时间：2016年10月31日 14:00-15:00pm

　　地点：清华大学罗姆楼8-208会议室

CIOE2016上的SiFotoncis（右二为CEO潘栋博士）

　　潘栋博士介绍，“SiFotonics进入硅光领域比较早，起初接触到硅光时，感觉到硅光是长期而且有发展前景的，一开始先把锗硅器件做好，然后再慢慢走向集成。如今经过近十年的努力和积累、数代产品的更迭，SiFotonics的锗硅PD/APD芯片已在性能、量产能力、可靠性等方面得到足够的市场检验，目前各类产品已累计出货近100万颗，并开始推出硅光集成芯片如ICR。”

　　SiFotonics Technologies成立于2006年底，目前投资额近5000万美元，公司在波士顿、北京、上海分别设立了研发中心，现有员工约100余人。核心技术团队汇集了来自MIT、清华大学、复旦大学的多名业界精英，投身于硅基光电产品前沿技术的开发与应用。

　　2015年底，SiFotonics Technologies在硅光领域中取得了决定性的突破：SiFotonics研发的正面入射型25G高速锗硅雪崩二极管 (APD), 在1310nm灵敏度达到了-22.5dBm (BER=1E-12)， 为所有探测器件中的最高性能，这是硅光有源芯片里程碑式的进展：单个器件的性能超越传统材料。

        诚邀光通讯精英 共推硅光美好未来

　　SiFotonics诚邀勇于创新、敢为人先、渴望施展才华的精英加盟，一起创造硅基光通讯产业美好未来!

　　多个核心研发职位开放，现场接收简历。更多职位信息请关注微信公众平台或SiFotoncis官网。

        公司网址：www.sifotonics.com