专访SiFotonics：硅光已至 全面进军市场时机成熟

　　ICCSZ讯（编辑 summer） 前不久，备受业界关注的2016 Intel开发者论坛(IDF)上，Intel宣布，硅光电子100G收发器正式投入商用，并已批量出货，此消息一出，给行业内带来了不小的冲击。关于硅光子的技术的发展已经有多年的历史了，如今的讨论度更是火热不已。

　　一直致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者的SiFotonics Technologies Co., Ltd.(以下简称“SiFotonics”)，在CIOE 2016上打出了“硅光，已至”的口号，并展示了25G Ge/Si APD TO-Type ROSA及100G ICR 模块等硅光产品的最新进展。前去SiFotonics展台参观的人络绎不绝。在这期间，讯石也对SiFotonics CEO潘栋博士进行了专访，了解公司硅光技术的发展动态。

　　(SiFotonics团队：右二为CEO潘栋博士)

　　致力硅光研发 全面进军市场时机成熟

　　SiFotonics成立于2006年底，目前投资额近5000万美元，公司在波士顿、北京、上海分别设立了研发中心，现有员工约100余人。核心技术团队汇集了来自MIT、清华大学、复旦大学的多名业界精英，投身于硅基光电产品前沿技术的开发与应用。

　　去年年底，SiFotonics在硅光领域中取得了决定性的突破：SiFotonics研发的正面入射型25G高速锗硅雪崩二极管 (APD), 在1310nm灵敏度达到了-22.5dBm (BER=1E-12)， 为所有探测器件中的最高性能，这是硅光有源芯片里程碑式的进展：单个器件的性能超越传统材料。

　　据潘总介绍，“SiFotonics进入硅光领域比较早，起初接触到硅光时，感觉到硅光是长期而且有发展前景的，一开始先把锗硅器件做好，然后再慢慢走向集成。如今经过近十年的努力和积累、数代产品的更迭，SiFotonics的锗硅PD/APD芯片已在性能、量产能力、可靠性等方面得到足够的市场检验，目前各类产品已累计出货近100万颗，并开始推出硅光集成芯片如ICR。”

　　(SiFotonics展台)

　　技术创新 提供高性价比光电器件

　　硅光子技术是基于硅材料，利用现有CMOS工艺进行光器件的开发和集成的新一代技术，不仅在光通信，数据中心，在超级计算以及生物、国防、AR/VR技术等许多领域都将扮演极其关键的角色。

　　据了解，硅光子在数据中心和接入网都有着广泛的应用，一旦应用市场打开，需求量跟上，价格优势便会显示出来。多年来SiFotonics专注于CMOS工艺的硅基光电器件及光电集成芯片的设计与开发，通过技术创新为客户提供高性价比的光电产品，可广泛应用于传统光通信市场、数据中心、FTTx、HDMI远传等带宽需求量快速增长的市场。潘总认为，“硅光是一种颠覆性的技术。 大量集成芯片的出现可以改变现有的产业结构 ，从市场的切入还有成本的优势上面，都显示了非常强大的竞争力。”而对于如何促进硅光发展，潘总认为要发展应该多与业界交流， 不能盲目跟从，找到一个合适自己的切入点，然后再深深扎进去才是最好的选择。

　　迈向成熟 走出实验室

　　和多年以前不同，从前更多的企业都在观望，而现在越来越多的企业、机构开始进入硅光领域，许多研究所也在花费心血进行研究。对此，潘总认为，从前硅光技术的产品化并不好，一直都只是在实验室当中，但现在硅光技术已经在各个方面开始成熟了，很多硅光产品在市场上也开始出现，大规模商用已近在眼前。

　　来自Technavio分析师的最新预测显示，从2016年到2020年间，全球硅光子市场的年复合增长率(CAGR)将超过48%，其中通信应用占整体市场95%。Technavio认为，硅光子市场增长的主要因素有四个：对更高网络带宽的需求;降低40Gbps以上速率的传输成本;来自公共资金的巨额投资;硅光子具有的能提升能源效率的特性。

　　目前在硅光子领域虽然涌现出众多公司，但实际上大部分公司都处在研究阶段。而SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化，现已向市场全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前公司的硅光产线也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G集成相干接收/发射芯片(ICR/ICT)。不久，SiFotonics将推出面向数据中心应用的100G集成收发芯片。