II-VI与英飞凌签署多年合同 供应用于电力电子的碳化硅基板

  ICC讯（编译：Nina）2022年8月23日，宽带隙化合物半导体的领导者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)今天宣布，它与英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)签署了一份多年合同，为后者提供用于电力电子的150毫米碳化硅(SiC)基板。

  电动汽车(EV)市场的飞速增长正在推动EV动力传动系统、车载电池充电单元和充电基础设施对基于SiC的电力电子设备的需求。与最先进的硅基器件相比，SiC使电力电子器件更小、更高效，系统级总拥有成本更低。通过这份合同，英飞凌正在采取战略步骤来确保其150毫米SiC基板的供应。II-VI和英飞凌还将合作向200毫米SiC基板过渡。

  II-VI新风险投资与宽带隙电子技术业务部(New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies Business Unit)执行副总裁Sohail Khan表示：“英飞凌作为功率半导体的市场领导者，是我们的重要合作伙伴。我们高度专业化的产品现在正在帮助英飞凌为全球主要客户提供创新的电子元件。”

  英飞凌首席采购官Angelique van der Burg表示：“SiC化合物半导体在功率密度和效率方面树立了新标准。我们正在利用它们来实现我们的去碳化和数字化战略。英飞凌正在加大对SiC制造能力的投资，以满足客户快速增长的需求。我们很高兴将II-VI加入到我们的战略供应商群，共同发展我们的业务。”

  2022年3月，II-VI宣布将在宾夕法尼亚州伊斯顿近30万平方英尺的工厂进行大规模扩建，加快在150毫米和200毫米SiC基板制造方面的投资。随着这次扩建，到2027年，II-VI 150毫米基板年产能将达到110万个，200毫米基板的比例将随着时间的推移而增长。