深光谷科技玻璃基双四芯3D波导芯片 精准适配800G/1.6T光模块互连需求

  ICC讯 2025年6月，深圳 —— 深光谷科技（Shenzhen Photonics Valley Technologies）今日正式推出玻璃基双四芯3D波导芯片，专为数据中心800G/1.6T多芯光模块以及CPO光引擎设计，以典型值0.4-0.5dB的纤到纤超低损耗优异性能，支撑下一代高密度光互连应用。该产品通过两颗四芯波导芯片相邻加工，实现了8通道250 µm间距（pitch）标准阵列布局，完美对接主流8通道硅光光模块的发射/接收接口需求，成为光互连架构升级的重要支撑器件。

双四芯3D波导芯片结构示意图

双四芯3D波导芯片bar条加工实物图和端面截面图

  随着人工智能和大模型训练驱动下的数据中心带宽需求持续增长，光模块容量正迅速从400G向800G、1.6T乃至3.2T演进。传统并行光纤方案（如多根单模光纤+ MPO接口）在带来复杂连接的同时，也显著提升了布线难度、成本和功耗瓶颈。多芯光纤方案凭借更高通道密度与更简洁的布线结构，正成为下一代数据中心架构的关键趋势。

  深光谷科技此次推出的双四芯3D波导芯片具备以下核心优势：

  ●  精准结构匹配：通过双芯片集成实现1×8通道排列，250 µm标准间距阵列，与高速硅光模块或CPO光引擎无缝对接；

  ●  面向800G/1.6T设计：完全贴合当前主流8×100G或8×200G模块通道结构，适用于DR4/DR8等多种模块标准；

  ●  优异的插损性能：基于自研飞秒激光直写技术，波导通道损耗低于0.6 dB（典型值0.4-0.5dB），有效保障长距离、高带宽传输质量；

  ●  结构紧凑、封装友好：双芯片共基板设计便于与TOSA/ROSA等组件整体封装，芯片整体毫米级尺寸可完美集成于光模块内部；

  除此之外，深光谷科技此前已发布基于自研飞秒激光直写技术的4芯光波导芯片，并已通过多轮客户评估测试及量产试产，目前已构建了面向数据中心应用的完整的多芯波导芯片产品，以适应不同光模块架构和光纤连接需求：

  深光谷科技持续推动3D光波导与TGV光电封装核心技术的产业化，赋能AI算力基础设施与数据中心互连升级。此次双四芯波导芯片的发布，标志着多芯互连在结构设计与工艺实现上的又一重大突破。

  目前，该产品已完成中试验证并开启小批量交付，现正向重点合作客户开放样品测试与定制合作，欢迎有合作意向的产业伙伴洽谈对接。

  Shenzhen Photonics Valley Technology Co., Ltd

  深圳市深光谷科技有限公司

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