ICC讯 联讯仪器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU,在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平台优势的基础上,实现了功能升级与性能突破。该设备创新性地集成了自动量程等智能化功能,具备四通道同步输出与测量能力,支持±40V宽电压范围输出,并提供±500mA(直流)和±1A(脉冲)双模式电流输出。其突破性的pA级电流测量精度,配合优异的动态性能表现,完全覆盖传统型号的所有应用场景,能够满足5G射频器件、光电器件对测试精度和稳定性的严苛要求。
1、产品特点
分辨率高达1μV/1pA
电流分辨率低至1pA,电压分辨率达1μV,精准捕捉nA级漏电、μV级信号波动。
4通道独立/同步控制
支持四通道并行输出与测量,可同时完成多器件IV特性扫描或特征参数测量,大幅提升测试效率。
±40V/±1A宽域动态覆盖,脉冲源与直流源集于一身
直流±40V/±500mA,脉冲±1A输出能力,轻松应对半导体器件测试、高精度传感器采集等场景。
1MS/s高速采样 + APFC动态调优
1MS/s超高速ADC采样率,结合自适应精密快速控制(APFC)技术,实现输出波形亚毫秒级稳定,瞬态响应无延迟。
直流IV输出能力
多卡同步 + 全栈自动化支持
基于PXIe协议,支持多卡级联扩展与硬件同步触发; 采用标准SCPI进行控制,支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等编程语言控制,无缝融入现有测试平台。
2、典型应用
半导体测试/硅光晶圆测试
半导体测试:MOSFET/ IGBT/BJT IV特性分析
►±40V/±1A宽范围输出和测量,搭配1μV/1pA分辨率,精确测量nA级到A级的电流变化。
►单卡四通道独立输出,匹配四端器件测试更加经济高效。
硅光晶圆测试:破解高集成芯片的暗电流难题
在硅光芯片制造中,nA级暗电流的精准测量直接决定器件性能与良率
►S2019C凭借1pA分辨率,可稳定捕捉超低暗电流信号,搭配4通道并行架构,支持晶圆级多探针同步测试,实现硅光器件漏电流、响应度等参数的全覆盖分析,为800G光模块、激光雷达芯片提供可靠性保障。
硅光晶圆多探针同步测试
结语
S2019C 4通道PXIe SMU
精准捕捉毫伏/纳安级信号,掌握微弱变化
覆盖复杂工业场景,应对各类严苛测试环境
实验室级数据精度,助力科研创新与工业升级