喜报 | 三安集成荣获国家科学技术进步一等奖

  ICC讯  三安光电 (SSE:600703)全资子公司三安集成作为射频芯片研发、制造和服务公司，建立了自主工艺技术平台，与高校、通讯龙头企业共同完成的项目“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在 5G 通信产业化应用”于近日荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。

  三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发和产业化工作，与高校、通讯龙头企业协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器核心工艺技术，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了5G组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量出货。

  5G技术对于射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更高的要求，氮化镓作为第三代半导体材料具备相较传统硅基射频器件更好的高频特性，被业界认为是目前5G基站功放的最优解决方案。该项目成果即有效地满足了我国5G基站对高性能氮化镓功放的迫切需求，为我国在新一代移动通信技术领域的国际领先地位奠定了重要基础，并取得了显著的经济和社会效益。据中国信通院白皮书发布信息，截至2023年10月底，国内已部署开通5G基站累计321.5万个，估算2023年5G直接带动经济总产出1.86万亿元，间接带动总产出4.24万亿元。

  三安集成成立于2014年，持续投入氮化镓、砷化镓射频芯片的制程研发和制造，于厦门和泉州布局了大规模射频芯片产业链，主营业务包括氮化镓射频功放代工、砷化镓射频功放代工、射频封测代工和滤波器产品，应用涵盖民用基站、智能手机、Wi-Fi和物联网等领域，在国内射频芯片制造领域占据重要份额。