CIOE 2021 | 长瑞光电亮相50G PAM4 VCSEL，IDM模式保障市场竞争力

  ICC讯9月16-18日，CIOE 2021期间，苏州长瑞光电有限公司隆重展示其25Gb/s-NRZ和50Gb/s-PAM4在内的850nm砷化镓基高速多模 VCSEL芯片产品，获得业界客户和现场观众广泛关注。

长瑞光博会展台交流情况

长瑞Wafer、25G NRZ VCSEL、50G PAM4 VCSEL展品展示情况

  展会现场，公司50G PAM4 VCSEL项目负责人高逸群向讯石介绍，长瑞光电主要从事III-V族半导体激光器芯片的研发和制造，拥有自主的晶圆到流片的生产线，完整的光学性能以及可靠性测试能力。产品主要应用于高速光通信与消费类电子产品，目前拥有近员工近120余人，研发团队达40%。

  本次展出的25G NRZ和50G PAM4 VCSEL具有优秀的产品性能和可靠性表现，这得益于长瑞的IDM模式。同时，在国内知名光模块公司的支持下，长瑞光电的高速VCSEL光芯片在可靠性测试、性能验证和市场反馈方面，相比于同类企业具有更高的反馈效率，能够加速产品迭代，推动品质升级。

  作为IDM模式的光芯片领军企业，长瑞光电不仅完全实现了全产业链的自主化供应，而且在芯片测试与分析方面具有一流的设备与人才团队。公司此次参展的50G PAM4产品目前已具备量产能力，正在接受各主要客户全面的验证测试。

  展会期间，长瑞光电“面向100G光通信模块应用的4*25G VCSEL阵列芯片”项目荣获“中国光电博览奖优秀奖”，得到了行业专家的认可。

  长瑞光电相信，一致性的外延材料、全面的分析试验以及充分的老化可靠性验证将为25G/50G VCSEL光芯片产品提供强大的市场竞争力，满足高速光模块严苛的品质和可靠性要求，助力客户实现产品快速交付。