三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

  ICC讯 8月14日消息，据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。

图片来自三星电子官方

  三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。

  三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时，也能稳定联通。

  三星称，X-Cube可用于5纳米和7纳米制程。有了X-Cube技术，IC设计师打造符合自身需求的定制化解决方案时，将有更多灵活性。