ICCSZ讯(编译:Anton)比利时研究中心Imec和英国光子学产品III-V复合半导体设计制造商CST Global宣布,成功地将CST Global的InP100平台上的InP分布式反馈(DFB)激光器集成到Imec的集成硅光子学平台(iSiPP)中。
联合发行有望推动硅光子学在成本敏感应用领域的应用,包括光互连、传感、计算等
InP-DFB激光器和反射半导体光放大器(RSOA)的混合集成接口将于2021年上半年作为Imec硅光子学原型服务的一部分提供,并在2020年进行进一步优化和鉴定工作。Imec-CST Global的这项联合技术产品有望在成本敏感型应用中推动硅光子学的应用,这些应用包括光互连,传感,计算等。
硅光子学(SiPho)技术在过去几十年里取得了巨大的进步,并广泛应用于从光纤通信到传感等各种应用领域。技术平台已经发展成为成熟的工具,可供工业界和macademia用于原型制造、小批量和大批量制造。但是,一个广泛可用的、具有成本效益的解决方案在SiPho芯片中集成了光源,这阻碍了SiPho在成本敏感市场的应用。硅本身不能有效地发光,因此由III-V半导体(如InP或GaAs)制成的光源通常作为单独封装的组件来实现。这种外部光源通常会遭受更高的耦合损耗、较大的物理形状因子和较大的封装成本。
Imec最近与CST Global联手,将Imec的SiPho技术组合扩展为被动组装、边缘发射、InP-DFB激光器和InP-rsoa。这项合作始于2019年,现已在Imec的iSiPP平台上成功组装了第一批C波段(1530-1565nm)InP-DFB激光器。 InP激光器通过模到模粘合的键合工艺“倒装芯片”集成到SiPho电路上,可有效对准并将大于5mW的功率耦合到SiPho芯片上的SiN波导中。
Imec光学I/O项目主管Joris Van Campenhout:“我们很高兴与CST Global合作,利用混合集成InP光源扩展Imec的硅光子学产品组合。我们的第一个被动激光装置已经证明了良好的初步结果。在整个2020年,我们将进一步优化激光组装工艺的精度和生产量;扩展功能,包括1310/1550nm波长的RSOA集成;执行可靠性鉴定。我们预计,这些混合集成光源的可用性将促进SiPho设备在各种成本敏感市场的工业应用。预计到2021年上半年,通过Imec的iSiPP200原型服务可以提前进入市场。”
CST Global的集成经理Antonio Samarelli说:“我们非常高兴能与Imec合作完成这个项目。在CST的InP100制造平台上设计和制造的InP光源(DFBs和RSOAs)的混合集成,结合iSiPP平台,可为未来的先进组件创建强大的光子集成电路(PIC),从而提高性能并降低成本。我们将继续与Imec密切合作,扩展InP100平台的功能和能力,以满足大容量商业应用中新型、先进PIC的InP光源要求。”