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AOI宣布推出200 Gbps PAM4 PIN光电二极管阵列

摘要:AOI宣布开发用于高速光接收器200Gbps PIN光电二极管(PD)阵列芯片。新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD阵列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD阵列技术,专为200G和400G数据中心收发器模块中使用的PAM4接收器而设计。

  ICCSZ讯(编译:Vicki) AOI宣布开发用于高速光接收器200Gbps PIN光电二极管(PD)阵列芯片。

  新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD阵列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD阵列技术,专为200G400G数据中心收发器模块中使用的PAM4接收器而设计。 PIN PD阵列优化了光圈尺寸并降低了光电二极管的寄生电容,实现了25 GHz的高调制带宽和适用于PAM4信号检测的高线性度。

      使用AOI的50 Gbps PAM4直接调制激光器(DML)测试的典型接收器灵敏度在FEC KP4 BER阈值2E-4时为-12 dBm。 此外,除1x4阵列外,50 Gbps单声道PD可用于50 Gbps收发器,用于5G无线和光纤到户应用。

  AOI的研发副总裁Jun Zheng博士表示:“对于我们的50Gbps PAM4 PIN PD阵列和50 Gbps PAM4 DML或电调制激光器(EML)的内部制造,AOI现在可以控制生产200G400G收发器所需要的两个关键光学组件。这些组件基于50Gbps per lambda技术。这种垂直整合将提高我们200GbpsDR4/FR4/LR4 和 400 Gbps FR8/LR8收发器上市时间。”

内容来自:讯石光通讯咨询网
本文地址:http://www.iccsz.com//Site/CN/News/2018/03/09/20180309021704512400.htm 转载请保留文章出处
关键字: AOI 200G 400G
文章标题:AOI宣布推出200 Gbps PAM4 PIN光电二极管阵列
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