富士通推出毫米级输出信号增幅器

       2010年11月19日消息，富士通昨日宣布推出周波数为70-80GHz，用于毫米波带的无线通信装置零组件。采用了以氮化镓制成，电子移动度极高的晶体管(HEMT)，是输出功率世界最高的信号输出增幅器，与使用既存的镓砷材料(GaAs)制成的增幅器相比，功率提高至16倍，可通信距离也延伸至10公里的6倍以上。

　　新开发的信号输出增幅器功率为1.3瓦特，与以往使用氮化镓HEMT的增幅器相比，功率可提高达4倍。在单一芯片的集成电路中，可说具有世界最高的输出功率。1瓦特以上输出功率可得的周波数范围是67-80 GHz，以每秒10 Gb的传送速度传输大容量的数据时，可充分确保其价值。

　　提升HEMT所采用的氮化硅保护膜之膜质，高周波的电流量可较以往增加2倍。此外，以电力合成部的3次元形状为基础，藉由电磁解析高周波信号的动作，设计的精确度可提高15%。

　　每秒超过10 Gb的无线通信中，利用适于长距离通信的70-100 GHz毫米波带的手法，以确保周波数的带域是十分有效的。今后该增幅器将改良发展至可对应100GHz，并以5年后为目标，期望能代替光纤用来消除数字落差(digital divide)。该项成果已发表在2010年10月美国蒙特娄市举办的化合物半导体集成电路相关国际会议(CSICS)中。