化合物半导体推动10G40G市场增长

讯石光通讯网发布时间:2008/7/18 9:05:59 编者:iccsz

摘要：根据Strategy Analytics最新发表的《2007-2012年光纤模拟IC市场预测报告》显示，GaAs和InP技术将推动10G/40G市场的增长。

根据Strategy Analytics最新发表的《2007-2012年光纤模拟IC市场预测报告》显示，GaAs和InP技术将推动10G/40G市场的增长。

未来5年时间里，10G/40G市场的年复合增长率将达到28%，其中到2012年，基于GaAs和InP的转阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驱动器将占光纤模拟IC市场25%的份额。

预计到2012年之前，整体光纤模拟IC市场将保持9%的年复合增长率。受固网宽带和移动业务的快速发展影响，未来10G/40G网络基础设施将以最快的速度部署，这将带动整体光纤模拟IC市场的发展。

预计到2012年全球转阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驱动器的总市场产值将接近5亿美圆，届时CMOS和SiGe技术将主导这部分市场。而GaAs和InP技术将推动10G/40G市场的增长，尤其是在激光驱动器领域。(

内容来自：光电新闻网
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关键字: 半导体
文章标题:化合物半导体推动10G40G市场增长

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