韩国：三星3nm制程良率大幅提升

  ICC讯  据业内人士消息，三星电子大幅提高了3nm芯片的产量，似乎是良率问题得到了解决。

  相比于此前受困了良率问题，三星一位高管在受访时表示，三星第一代的3nm制程良率“接近完美”，第二代3nm芯片技术也迅速展开。“我们现在正在马不停蹄地开发第二代3nm芯片。”他告诉韩国经济日报。

  产量意味着晶圆上还剩下多少芯片，因此是半导体工艺节点盈利能力的关键。

  消息称，台积电的3nm工艺实现了高达85%的生产良率，高于三星。据称，这一数字过于夸张，韩国行业消息人士认为实际可能在50%。他们表示，考虑到台积电向苹果大规模生产和交付业界最小的芯片的周期，其产量最多为50%。

  据悉，三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV薄膜(pellicle)以提高良率，这些薄膜将来自韩国公司S&S Tech。