芯速联光电杨明：构建芯片模块垂直研发制造 赋能高速光模块核心竞争力

  ICC讯 6月15日，在2023中国光网络研讨会（OPTiNET CHINA）上，高速光芯片与光模块供应商商宁波芯速联光电科技有限公司(简称“芯速联”)创始人＆首席执行官杨明发表了《基于自研芯片平台的400G/800硅光模块已开启量产征程》的演讲汇报，介绍了公司核心竞争力的成长，包括从硅光芯片到模块的垂直整合能力，高性能产品量产情况，以及超级制造工厂的建设进展。

  2023年以来，伴随着人工智能应用ChatGPT风靡全球拉开了世界AI时代的帷幕，英伟达最新GH200 Grace Hopper 超级芯片和DGX GH200 超级计算机系统，以其强大的算力性能和通信硬件赋能 AI和数据中心发展。在传统云服务需求之外，AI算力需求正在成为光通讯技术产业全新增长驱动力， 400G/800G光模块器件作为AI算力性能的关键硬件之一，其市场需求逐步超越行业预期。面对AI、云计算、互联网流量驱动高速光模块市场加速放量，光通信如何及时抓住市场机遇？杨明认为，充足的制造能力和垂直的研发能力是保障企业核心竞争力，赢下市场份额的关键。

  在制造方面，芯速联拥有Chip-to-Transciver生产体系，在光芯片设计环节，公司享有专利的Hyper Silicon芯片技术可以自主研发具有更低损耗、更高带宽的PIC（光子集成电路）和AWG（平面光波导）芯片。在芯片制造环节，芯速联与世界领先的SiPh（硅光）晶圆公司合作进行独特的SiPh晶圆和芯片后段处理。在芯片封装和光模块生产方面，芯速联拥有自动化耦合与侧能力，通过专有的光组件设计和开发完成光芯片封装，随后通过低成本、高可靠性的COB封装产线完成光模块的批量生产。

  在研发方面，芯速联建立了从硅光芯片到硅光模块的垂直研发体系，包括AWG波分光器件芯片设计平台、四通道/八通道光引擎/模块设计平台、硅光器件芯片设计平台和DSP芯片设计平台。目前公司已经完成800G-1.6T关键技术的储备，基于器件三位建模、光耦合/光学器件/器件高速信号仿真，以及高速PCB布线设计等能力，具备生光模块各个环节的技术能力，持续推动产品更新迭代。

  杨明介绍，芯速联将公司所有技术特点整合成为Hyper Silicon解决方案，该方案具有八个优势，表现为PAM4自研平台可以最小化每吉比特价格，最大化带宽的密度和可扩展性；PIC的小尺寸和简单耦合可以使分立式成本降低30%；差分驱动调制器可以提供高调制效率并支持Serdes直驱；高带宽MZ调制器可支持高达200G/lane的动态带宽调制；硅光芯片SiN边缘耦合可以消除非线性效应以支持20dBm的高输入功率；芯片后处理到模块测试的全自动化；MES制造系统监控生产；以及12000平方米超级工厂快速响应需求激增。

  在Hyper Silicon PIC技术方面，杨明进一步介绍到，芯速联工程团队来自全球，累计拥有超过35年的SiPh设计经验，完成超过30次流片掩膜，在AWG、相干 PIC、4x25G PSM4等SiPh器件拥有成功经验。公司团队开发的Hyper Silicon PIC面向400G DR4、800G DR8/DR4、1.6T DR8等主流市场产品应用，可实现53.125Gbaud，具有4.5dB高消光比，通过采用边缘耦合设计支持低损耗光纤阵列或透镜耦合实现极低的片上损耗（<9dB）。基于Hyper Silicon PIC的400G DR4光模块TX功率、消光比、TDECQ和RX灵敏度（OMA）等皆领先于业内平均水准。

  在产品发展和规划方面，芯速联基于Hyper Silicon PAM4的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模块已在今年一季度正式量产，该产品的直驱版本预计于明年二季度推出样品。公司800G产品正在送样，明年有望实现部分产品量产。此外，公司的宁波中试线已经完成从芯片到模块的研发制造平台建设，安徽超级工厂将在第二季度完成，将实现高速光模块年产能75万只，覆盖400G/800G及1.6T 等产品，为赢得高速光模块市场升级换代机遇抢占先机。