专访华兴激光：高端InP外延片系列亮相 紧随光电行业发展趋势

  ICC讯 9月6-8日，CIOE2023期间，专注于光通信激光外延片、大功率激光外延片、光探测外延片、外延与工艺代工服务、多次外延生长、MOCVD Zn扩散、光栅加工(全息和EBL)、光电材料表征的化合物半导体外延材料供应商江苏华兴激光科技有限公司(简称华兴激光)隆重展出了一系列磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)化合物半导体外延片产品，公司展台获得现场客户的高度关注。

华兴激光展台

  华兴激光销售总监孙增辉博士向讯石介绍，本次华兴激光展出的2.5G/10G FP/DFB激光外延片系列可作为光通信宽带网络基础设施建设、光纤到户、数据中心光互联、移动基站等应用场景的关键光电芯片材料。伴随着光通信、光电子器件应用朝高速率、高性能方向持续演进，公司在高速率、高端光电应用方面的光电子外延片产品上紧随市场需求，并实现了诸多技术创新突破。

  公司在本次展会重点展示产品包括2.5G DFB/FP激光外延片、18波10G DFB激光外延片、25G DFB激光外延片、25G/50G EML外延片和硅光用大功率DFB外延片。其中2.5G DFB和10G DFB激光外延片的阈值电流8mA，边模抑制比>38dB；25G DFB激光外延片3dB带宽21GHz@25°C/16GHz@85°C；50GEML外延片3dB带宽可达到45GHz@45°C；此外，硅光应用的大功率DFB外延片阈值电流20mA，峰值功率大于100mW，满足硅光芯片需求。

华兴激光半导体外延片产品

  此外，华兴激光还展出了光传感应用的半导体外延片产品(DFB/VCSEL/APD/SPAD)，该系列涵盖0.76微米、0.94微米、1.06微米、1.53微米、1.65微米等波段，可应用于3D成像及氧气、氨气、甲烷等气体的高精度检测。华兴激光基于技术团队在半导体光电材料领域多年的技术积累以及现有的设备平台，可为企业、高校、科研院所提供半导体光电外延材料的全方位代工服务，涵盖光电外延片结构设计、材料外延、光栅制作、测试分析等方面，为客户提供一站式解决方案。

华兴激光销售总监孙增辉博士(右)与讯石合影

  江苏华兴激光科技有限公司创立于2016年2月,是一家专业从事半导体外延片研发、生产与加工服务的国家高新技术企业,主要采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)和电子束/全息光刻技术,制备以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为基底的III-V族化合物半导体外延片。

  公司位于江苏省邳州市经济开发区,占地30亩,建筑面积2.3万平方米,其中超净车间面积近5000平方米,拥有国际一流的化合物半导体材料生长和检测设备平台。技术团队包括中国科学院院士、国家高层次人才计划入选者、产业专家等资深光电从业人员,其中博士18人,掌握化合物半导体外延片设计与制备的核心技术,已获得50余项国家专利。