2028年基于GaN的电信基础设施器件市场将超13亿美元

  ICC讯（编译：Nina）近日，Yole Intelligence发布了最新版本的RF GaN（射频氮化镓）报告。报告预测，RF GaN器件在电信基础设施中的加速采用，以及GaN-on-Si（硅基氮化镓）技术的新机遇，将驱动RF GaN器件市场在2028年达到27亿美元。

  电信和国防是RF GaN的主要市场驱动力

  在电信基础设施中，GaN以其高功率和高频性能优势渗透到了各种基站中。随着宏/微蜂窝从RRH（射频拉远头）向AAS（有源天线系统）的过渡，Massive MIMO需要每个基站更多的PA单元。与LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）相比，在3GHz以上的频率下具有更高的PAE和更宽的频带能力是GaN发展的机会。到2028年，基于GaN的电信基础设施器件市场预计将超过13亿美元，占总市场的近45%。

  作为传统的GaN市场，国防领域是GaN RF的主要驱动力之一。GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）仍然是在国防雷达、电子战和国防通信应用中提供苛刻应用的主要平台。

  三大供应商稳定增长 恩智浦进入电信行业获得高收入

  截至2023年，由于供应链已经发展良好，GaN-on-SiC仍然是RF GaN的主要平台。然而，综合国防制造商(Integrated Defense Manufacturer，IDM)是首选的商业模式，因为IDM可以从他们在电信和国防市场的现有客户渠道中受益。

  2022年，SEDI、Qorvo和Wolfspeed在RF GaN器件业务中处于领先地位，而恩智浦(NXP)通过进入电信市场的供应链获得了显著增长。S.I.SiC晶圆市场仍由Wolfspeed、Coherent和SICC三大供应商共享。在国防领域，雷神公司(Raytheon)、诺斯罗普·格鲁曼公司(Northrop Grumman)和中国电科公司(Chinese CETC)在GaN的采用方面处于领先地位。Wolfspeed和Qorvo也是GaN的铸造厂。爱立信和诺基亚专注于电信市场的供应，继续从多家供应商那里扩大RF GaN器件的供应，而三星则与韩国供应商密切合作。自美国制裁以来，华为和中兴已转向中国供应链，以发展国内能力。

  电信业的新机遇为RF GaN-on-Si打开了大门

  截至2023年，主流的GaN技术是在SiC衬底上。该技术已经成熟，并在高功率和高频率下表现出良好的性能。在过去几年中，意法半导体(STMicroelectronics)、MACOM、Ommic、英飞凌(Infineon)以及GlobalFoundries、联华电子(UMC)等玩家一直致力于引入RF GaN-on-Si技术。由于电信小蜂窝(Small Cell)需要更低功耗的PA, GaN-on-Si可以在10W以下的32T32R 64T64R mMIMO基站中找到最佳点。Yole Intelligence预计，从2023年底开始，GaN-on-Si将进入市场，并在未来几年占据市场份额。

  随着技术节点的发展，为Ku/K/Ka频段开发平台的厂商甚至瞄准了0.1μm以下的节点，用于sub-Thz频率和未来潜在的6G市场。新兴的用于RF应用的GaN-on-Si平台的目标是在低功率水平下利用效率和宽带宽实现低于6GHz的小蜂窝。然而，考虑到改变手机系统设计的复杂性，这是GaN-on-Si的长期目标市场。