NEC公司宣布开发出用于5G基站射频单元（RU）的高效小型功率放大器模块（PAM）。该产品采用氮化镓（GaN）器件、高密度封装及负载调制仿真技术，实现了50%的功率附加效率（PAE），相比传统产品功耗降低10%，尺寸仅为10mm x 6mm。鉴于5G基站覆盖范围较窄、部署密度更高的需求，该PAM的大规模应用将显著降低网络整体能耗与运营商成本。NEC计划于2026财年上半年将其集成至新款RU，并面向全球市场作为独立产品推广。该产品将于2026年3月的MWC巴塞罗那展会上首次亮相。该技术部分源自日本国立信息通信技术研究所（NICT）的资助项目。

格芯（GlobalFoundries）与台积电签署技术许可协议，获得650V和80V氮化镓技术授权。此举将加速格芯面向数据中心、工业和汽车客户的下一代GaN产品开发，并为其佛蒙特州伯灵顿工厂的量产铺平道路，计划于2026年启动生产。

台积电宣布将于2027年7月底前停止氮化镓（GaN）代工生产，主要因中国竞争对手的价格压力及公司战略调整。其客户Navitas Semiconductor已开始将订单转移至力积电，并寻求更多供应商以分散供应链。台积电计划将原GaN产线转为先进封装用途，以应对AI芯片需求激增。

英飞凌科技宣布其300毫米氮化镓（GaN）半导体制造路线图进展顺利，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。作为领先的集成器件制造商（IDM），英飞凌凭借规模化生产和全流程控制优势，将进一步巩固其在GaN市场的领导地位，满足工业、汽车、消费电子等领域对高效能半导体日益增长的需求。

目前，C16999产品主要瞄准GaN/SiC外延片、衬底;TEG wafer等领域的缺陷检测，我们预计可以将化合物半导体缺陷检测的成本控制在百万元以内。若您对C16999系列感兴趣，或希望参与免费样品测试，请关注“滨松中国”公众号，聊天框留言。

2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE)即将于2025年4月再次启幕，本次展会特别打造超充展区，上下游优质企业将共聚一堂，搭建连接SiC和GaN技术提供商与超充终端方案商的桥梁，促进技术与市场需求的直接对接，推动这两种高性能化合物半导体材料在超充技术中的创新应用与商业化进程。

Infinera宣布任命Regan MacPherson为首席法务官兼公司秘书，自5月18日起生效。MacPherson女士将向Infinera首席执行官David Heard报告，并将监督公司的全球法律战略和公司治理事务和政策。MacPherson女士接替David Teichmann，他在公司的杰出任期包括在具有挑战性的宏观动态期间的信任和同理心领导。Teichmann将继续留在公司担任顾问，以确保顺利过渡。

Three UK首席执行Robert Finnegan抓住一个糟糕的财务结果，证明四个移动网络太多了。

2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行，陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相，展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。

Chip-to-chip连接领域的硅光领导者Ayar Labs宣布其董事会新增两名成员。Microchip Technology首席执行官Ganesh Moorthy和技术企业家Craig Barratt加入董事会;同时公司任命Vladimir Stojanovic为首席技术官。

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股。