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Three利用12年以来的首次亏损来推动与沃达丰的合并 Three UK首席执行Robert Finnegan抓住一个糟糕的财务结果，证明四个移动网络太多了。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2024/03/22/20240322023221105306.htm 2024/3/22
陕西光电子先导院携“新质生产力”成果亮相慕尼黑上海光博会 2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行，陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓(GaAs)IPD晶圆、氮化镓(GaN)HEMT晶圆4项成果亮相，展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2024/03/20/20240320094150100872.htm 2024/3/20
Ayar Labs新增硅行业资深人士以加速增长 Chip-to-chip连接领域的硅光领导者Ayar Labs宣布其董事会新增两名成员。Microchip Technology首席执行官Ganesh Moorthy和技术企业家Craig Barratt加入董事会;同时公司任命Vladimir Stojanovic为首席技术官。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2024/01/18/20240118013345367315.htm 2024/1/18
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2024/01/12/20240112015348221380.htm 2024/1/12
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈 2023年11月，九峰山实验室基于氮化镓(GaN)材料的太赫兹肖特基二极管(SBD)研制成功。经验证，该器件性能已达到国际前沿水平。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/12/01/20231201142313407956.htm 2023/12/1
TE连接第四财季通信部门营收同比下滑26% TE连接公布第四财季业绩，其中通信解决方案部门营收4.63亿美元，基于报告期账面财务数据下滑26%，基于内生性(Organically)数据下滑27%。公司表示下滑主要原因是公司客户的供应链正在去库存。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/11/02/20231102033513687339.htm 2023/11/2
英飞凌完成收购氮化镓系统公司 10月25日，英飞凌科技股份公司宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems）。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/10/27/20231027014111222593.htm 2023/10/27
成功产出高质量GaN外延片，首台联合研发国产化MOCVD成功投用国家第三代半导体技术创新中心(苏州)科研人员经过三个多小时实验，采用与国内半导体设备厂家联合研发的首台国产MOCVD设备，首炉试生长成功产出了高质量GaN外延片 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/10/07/20231007021125386556.htm 2023/10/7
MACOM宣布1.25亿美元收购Wolfspeed的RF业务 MACOM宣布已达成最终协议，以1.25亿美元的价格收购Wolfspeed的射频业务。该射频业务包括用于高性能射频和微波应用的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)产品组合，最近的年化收入约为1.5亿美元。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/08/23/20230823012315332017.htm 2023/8/23
GaN HEMT器件测试影响因素探究及SMU高性能表征方案 5G、6G、卫星通信、微波雷达将带来半导体材料革命性的变化，随着通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的射频器件。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/07/03/20230703071526878648.htm 2023/7/3
2028年基于GaN的电信基础设施器件市场将超13亿美元 Yole Intelligence预测，RF GaN器件在电信基础设施中的加速采用，以及GaN-on-Si技术的新机遇，将驱动RF GaN器件市场在2028年达到27亿美元。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/06/06/20230606030749952705.htm 2023/6/6
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Three利用12年以来的首次亏损来推动与沃达丰的合并

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2023年11月，九峰山实验室基于氮化镓(GaN)材料的太赫兹肖特基二极管(SBD)研制成功。经验证，该器件性能已达到国际前沿水平。

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2028年基于GaN的电信基础设施器件市场将超13亿美元

Yole Intelligence预测，RF GaN器件在电信基础设施中的加速采用，以及GaN-on-Si技术的新机遇，将驱动RF GaN器件市场在2028年达到27亿美元。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2023/06/06/20230606030749952705.htm 2023/6/6

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