英特尔将投资超200亿美元在美建设两家芯片工厂

  ICC讯  全球芯片巨头英特尔9月30日表示，计划在美国俄亥俄州建设两家新的尖端芯片工厂，投资额超200亿美元(约合人民币1460亿元)。有分析人士指出，英特尔此次巨额投资跟美国1年前推出的《芯片与科学法案》有关，该公司可通过上述投资，获得美国政府的半导体补贴资金。

  美国商务部近日也表示，已经有超过470家公司表示希望能获得美国政府的半导体补贴资金。去年8月份，美国总统拜登签署《芯片与科学法案》，通过巨额产业补贴和遏制竞争的霸道条款推动芯片制造回流本土。

  本周，英特尔位于爱尔兰价值185 亿美元的工厂采用极紫外线(EUV) 光刻机已经开始进行大量生产。