NEC开发了用于超5G/6G无线电设备的150GHz天线片上发射器IC芯片

ICC讯（编译：Vicki）NEC Corporation 开发了150GHz发射机IC芯片和支持技术，为超越5G和6G移动接入无线电通信系统做准备。根据NEC的一项调查，这是采用无线(OTA)辐射方向图测量的4通道片上天线(AoC) IC技术首次展示首选波束转向性能。

 基于创新的射频电路设计技术，将150 GHz相控阵天线元件、移相器和传输放大器集成到单个芯片中已经成为可能。用于制造该IC的22nm SOI-CMOS技术具有成本效益，适合批量生产，并且能够支持芯片中数字，模拟和RF功能的大规模集成。这允许更高的频率和更小的尺寸，这也有助于降低总拥有成本(TCO)，并可能加速社会实现。

Development of a 150 GHz transmitter IC chip and supporting technologies

 超5G和6G预计将提供100 Gbps级宽带通信，比5G快10倍以上。为了实现这一目标，有效利用亚太赫兹频段(100GHz至300GHz)，可以确保10GHz或更高的带宽。特别是，在世界范围内已经被指定为固定无线通信系统的d波段(130 GHz ~ 174.8 GHz)，有望为社会的早日实现做出贡献。

 但由于亚太赫兹频段的传播损耗大，互连损耗大，器件性能接近极限，因此需要发展高定向、高增益的天线技术及其波束导向技术。为了克服这些挑战，NEC开发了一种支持150GHz频段的新型IC芯片。

 展望未来，NEC将继续开发先进技术，为预计在本世纪30年代实现6G的商业化做出贡献。

4-channel antenna radiation pattern measurement results (150GHz)

本研究得到日本总务省(JPJ000254)的支持。

 NEC于2023年10月15日至18日在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的2023 IEEE BiCMOS和化合物半导体集成电路与技术研讨会(BCICTS)上介绍该技术的更多细节。NEC还于2023年9月在德国柏林举行的2023年欧洲微波集成电路会议上介绍了“基于开关增益的移相器”的关键原理和实现。