[图]【ISSCC】片上光布线技术 NEC将实用时间锁定2015年前后

讯石光通讯网发布时间:2006/2/13 14:01:04 编者:ICCSZ

摘要：　　【日经BP社报道】 NEC出示的片上光布线的应用原理。只要输出光学时钟（optical clock），同

　　【日经BP社报道】

NEC出示的片上光布线的应用原理。只要输出光学时钟（optical clock），同步信号就会通过分路滤波器等传输给LSI的各个电路。或者将光信号用于和外部之间的输入输出。

小型放大器电路的结构及其特性

NEC开发的小型光敏二极管利用“表面等离子共振（Surface Plasmon Resonance，SPR）”，提高了接收灵敏度。

　　NEC现已开发出了用来在LSI内部实现光布线的关键技术群。包括在硅底板上形成的小型光敏二极管、接在光敏二极管上使用的小型放大电路、光调制器及分路滤波器等。相关技术详情将于美国当地时间2月8日上午在ISSCC 2006会议上予以发表（演讲序号：23.5）。

　　在演讲发表前召开的记者发布会上，NEC谈到了光布线的可能用途和实用化时间。“多核型微处理器的内核数增加以后，必须实现超高速的数据传输，以及为多种电路进行时钟信号分配。这种用途就不用说了，光布线还可有效用于SiP中芯片之间的光传输等用途”（NEC基础与环境研究所纳米技术TG研究部长大桥启之）。虽说单靠这次的关键技术群并不能立刻实现LSI内部的光布线，但该公司已把它定位于大大有助于光布线实用化的基本技术，力争2015年前后达到实用化水平。

如何解决光源问题？

　　NEC曾开展过与硅纳米光子学有关的技术开发。小型光敏二极管过去就曾在学会发表等活动中做过报告。此次还一并发表了小型放大器电路，希望将来能在LSI进行集成。

　　在演讲中占据中心地位的小型光敏二极管可实现50GHz以上的高速响应性能，偏压为0V～+1V。小型放大器电路的作用就是取代所谓的TIA（transimpedance amplifier，互阻抗放大器），尺寸控制到了3μm²以下。与尺寸达数千μm²的现有TIA相比，小型化有了长足进步。

　　要想使LSI内部和芯片之间的光布线达到实用化水平，除这次的关键技术群之外，还需要提供光源。对此，NEC的大桥提出了一种看法：“作为LSI之外的另一个芯片，配备半导体激光器等廉价发光元件，可能比较现实一些。”目前，大学的研究机构等正在使用硅材料进行发光元件的开发。不过，“基于硅材料的发光元件能否赶在2015年前后达到实用化，目前仍是一个未知数。需要同时研究其他的实现手段”（大桥）。（记者：堀切近史）

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