台积电研发出新材料，有助实现1nm以下芯片制程

  ICC讯 近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究超3奈米前瞻半导体技术取得突破。

  三方共同发表突破二维材料缺陷的创新技术，首度提出利用半金属铋(Bi)作为二维材料的接触电极，成功大幅降低电阻并提高电流，据称效能接近量子极限。

  这项技术将有助实现未来1nm以下原子级电晶体的愿景，相关研究成果刊登于《Nature》国际顶尖学术期刊。

  据公众号《新智元》报道，三方合作自2019年开始，经过了三个关键阶段。美国麻省理工学院团队发现在二维材料上搭配半金属铋（Bi）的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流。随后，台积电技术研究部门则将“铋（Bi）沉积制程”进行优化。最后台大团队运用“氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸，最终获得突破性的研究成果。

  台大电机系暨光电所教授吴志毅表示，在使用铋（Bi）为接触电极的关键结构后，二维材料电晶体的效能，不但与硅基半导体相当，又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容，有助于未来突破摩尔定律极限。