超高带宽的动态随机存储器问世

  ICC讯 韩国SK海力士日前宣布，该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器（DRAM），每秒能够处理819GB的数据，内置ECC校检。

  该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB产品中，单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm，使用TSV技术垂直连接12个芯片。

  HBM3被称为第四代HBM，由多个垂直连接的DRAM芯片堆叠而成，能够创新性地提高内存带宽。

  SK海力士2020年7月在业界最先开始量产HBM2DRAM。SK海力士强调，将继续巩固高端存储器市场领导力，提供符合ESG（环境、社会、公司治理）经营理念的产品，尽最大努力提高客户价值。

图为HBM3DRAM产品封装。

（SK海力士提供）