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日本研究人员报告称,他们设计出了一种新的集成处理器和存储器的三维技术,实现了全世界最高的性能,为更快、更高效的计算铺平了道路。这种创新的堆叠架构实现了比迄今最先进的存储器技术更高的数据带宽,同时也最大限度地减少了访问每个数据字节所需的能量。
世界上最大的半导体公司之一、唯一一家总部位于美国的存储器制造商Micron Technology(美光)宣布计划建造一座美国历史上最大的芯片制造厂。美光计划在未来20多年内投资1000亿美元,在纽约克莱建立一个新的巨型工厂,计划在本十年结束前投资200亿美元。这是纽约州历史上最大的私人投资。
中国科学技术大学潘建伟及其同事包小辉、张强等,将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合,采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐的形式日前发表在《物理评论快报》上。
6月30日,最高院终审判决菲尼萨名称为“光纤收发信机的集成存储器控制器电路”的发明专利无效。易飞扬于2017年就被指控的侵权专利向国家知识产权局专利复审委员会提起对菲尼萨专利无效宣告的请求。
台湾存储器大厂南亚科将于6月23日举办新工厂动工典礼。新工厂投资总额高达3000亿新台币,是台塑集团投资DRAM存储器、摆脱美光科技束缚的关键举措。
中国科学技术大学郭光灿院士团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导,实现了光子偏振态的可集成固态量子存储,存储保真度高达99.4±0.6%,显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。
日前,有媒体报道了国外学者把一个量子比特的信息存储在晶体内并保存长达20毫秒的消息,为远距离量子网络开发奠定了重要的基础。
美国科学家在最新一期《先进材料》杂志上撰文指出,他们研制出了全球首个磁电晶体管,不仅有望帮助满足人们对数字存储器日益增长的需求,将该领域的能耗降低5%,还可将存储某些数据所需晶体管的数量减少多达75%,进一步促进设备的小型化。
韩国SK海力士日前宣布,该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器(DRAM),每秒能够处理819GB的数据,内置ECC校检。
近日,摩根士丹利表示,整体半导体需求可能被高估了,已看到智能手机、电视及计算机半导体需求转弱,LCD 驱动 IC、利基型存储器及智能手机传感器库存会有问题,预计台积电及力积电等代工厂,最快今年第 4 季会发生订单遭到削减。
日本知名存储芯片制造商——铠侠控股(Kioxia Holdings,原东芝存储器控股)意外宣布,因来自美国的禁令导致该司的营收面临极大的不确定性,该司决定推迟原定于今年10月6日的上市计划,具体时间将重新规划后再作通知。
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