专访华兴激光：坚持外延片生长技术迭代 聚焦品质做客户可靠之选

  ICC讯 近日，讯石光通讯网走进化合物半导体光电子外延片研发和制造商江苏华兴激光科技有限公司（简称华兴激光）交流，公司专注于采用先进半导体技术制备以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底的不同结构和功能的光电子外延生长材料。在激光器、探测器等光芯片结构层中，外延层生长是决定芯片性能高低和可靠性好坏的重要环节，底层材料技术进步对光电子产业链的升级发展发挥着关键作用。

  伴随着AI算力网络驱动光电子器件需求的高速增长，10G PON、5G前传和数据中心100G/400G/800G光学等应用是引领光电芯片市场发展的主要驱动力。基于磷化铟、砷化镓平台的光电子芯片在迎接巨大增长市场需求的同时，也面临着技术升级的迫切压力，首当其冲地成为光电子产业的关注焦点。华兴激光总经理罗帅博士接受讯石采访时表示，公司是一家量产全系列激光发射/接收外延片的半导体高科技企业，面对市场升级迭代的迫切需求，公司引进大量先进半导体外延工艺和检测设备，不同特性的激光器外延片和探测器外延片分开制造与检测，专机专用，有效保障外延片品质稳定，同时，公司通过提高客户定制响应速度，加快新产品研发迭代周期。

  自2023年以来，华兴激光发展取得了重大进步，截至目前，公司累计有二十多台MOCVD核心外延生长设备，外延片产能位居国内光电子市场前列，光电子产品的稳健发展得益于公司近年持续的研发投入，推动旗下产品跻身全球半导体行业优秀之列。

  通信应用激光器外延片，诸如2.5G/10G/25G速率的全系列外延片实现了量产和出货，50G/100G产品达到客户定制性能要求并接近转产阶段，这类产品广泛应用于DML、高速EML和CW大功率DFB等光通信主要激光器芯片，性能指标和材料质量通过了下游客户验证和认可。通信应用探测器外延片，2.5G/10G/25G/50G的MPD/PIN/APD各类探测器芯片外延片已经量产交付，100G探测器外延片也在顺利研发中。

  在非通信产品方面，公司发布了应用于激光雷达的砷化镓短波产品和磷化铟长波大功率产品，面向医美领域和激光泵浦领域推出 808/915/976/780等各类短波长产品，6英寸和4英寸外延片已经批量出货。在气体监测传感领域，华兴激光结合光通信产品技术研发量产的锁波泵浦外延片进行了性能升级，在温度漂移和注入电流漂移方面，相比于传统产品下降至五分之一。

  如何看待外延层材料对产业意义？罗博士认为，化合物半导体外延片是核心功能材料，外延片的量产化一方面保证了商用化合物半导体芯片的可靠性，另一方面国内客户选择使用华兴激光等国内产品也有助于推动国产外延层生长技术到流片工艺的逐步成熟和迭代演进，促进完整产业链的良性发展。

华兴激光总经理罗帅博士(左)接受讯石采访

  从2018年到至今，华兴激光始终坚持研发投入推动产品迭代，并与客户建立了良好的合作互信关系。伴随着国产化替代进程和产业供应链不断完善，如今国产外延片在客户新产品项目中成为了重要的物料来源。在激光器芯片领域，华兴激光充分发扬自身技术优势和可靠平台，为客户产品竞争力提供更具差异化、高性价比以及响应迅速的化合半导体解决方案。