II-VI获超$1亿碳化硅衬底多年协议 助力5G建设

  ICCSZ讯（编译：Nina）日前，工程材料和化合物半导体领域的领导者II-VI公司(纳斯达克：IIVI)宣布，它已签署了一项价值超过1亿美元的多年协议。这是II-VI历史上最大的一笔协议，旨在供应碳化硅(SiC)衬底，用于部署在5G无线基站中的氮化镓(GaN)RF功率放大器。

  5G无线服务的加速部署正在推动5G无线供应链生态系统中更深的战略关系。II-VI获得这项新协议，是基于其作为全球领先的4G和5G市场高质量碳化硅衬底供应商的丰富经验。

  II-VI宽带隙半导体业务部副总裁Gary Ruland博士表示：“与基于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的器件相比，碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF功率放大器在从低千兆赫兹到毫米波段的5G宽工作频率范围内均具有卓越的性能。由于我们长期以来以更大的基板直径和行业领先的晶体质量推动该技术的发展，客户乐意与II-VI建立战略合作伙伴关系。II-VI最近推出了世界上第一个半绝缘的200mm碳化硅衬底，帮助客户在将来扩大生产规模。”

  II-VI利用拥有30项有效专利的强大知识产权组合，通过包括晶体生长、衬底制造和抛光在内的高度差异化和专有技术，不断提高碳化硅衬底的技术水平。II-VI还通过建立垂直集成的150mm碳化硅基氮化镓HEMT器件制造平台来扩展其驱动5G RF半导体路线图的能力。除了碳化硅衬底外，II-VI还为无线光接入基础设施提供一系列功能强大的波长管理解决方案和收发器。总之，II-VI提供广泛的材料、组件、器件和子系统，以支持即将来临的5G大规模部署。