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9月30日,HiLight Semiconductor宣布该公司已向客户运送了超过1亿颗用于光通信产品的 PMD ICs。在经历了创纪录的季度环比增长和 HiLight 中国销售和支持团队的大力扩张之后,在本财季达到了这一里程碑。
全球领先的光通信CMOS集成电路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布,已成功安装并开始运转Teradyne(泰瑞达)的UltraFlex-HD测试系统。这套新的ATE测试系统是HiLight对目前使用的Integra-Flex测试设备进行的重大升级,升级后HiLight的芯片批量测试能力至少翻倍。
光通信CMOS集成电路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布向客户展示其技术领先的25 Gbps DML应用评估套件,该套件使用了HiLight高度集成的CMOS Combo芯片,应用于诸如25GbE 长距和24G CPRI 300米~10公里的无线前传等场景。
全球领先的光通信CMOS集成电路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布推出应用于10Gbps长距离传输和下一代10G-PON的高灵敏度跨阻放大器(TIA)HLR11G1。TIA尺寸仅为0.7 mm x 1.05mm,可轻松装配在标准TO-can光学组件中。到目前为止,HiLight已经销售超过8000万片ICs。
HiLight宣布其最近已加入OpenEye MSA,以HiLight的纯CMOS CDR技术为基础开发PAM-4光链路。OpenEye MSA制定并推广在PAM-4光链路中使用模拟CDR的规范,从而在优化成本、功耗、复杂性上提供更灵活的选择。
HiLight Semiconductor将在深圳CIOE 2019展示多款用于数据通信和接入网络的 CMOS PMD产品,在CIOE期间会向已安排会议的客户现场演示以下产品和参考设计:
HiLight宣布推出用于25Gbps和100Gbps光接收器的两新款25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs),其中HLR25G0适于PIN光电二极管应用,而HLR25G1则适于APD雪崩光电二极管应用。
HiLight Semiconductor表示,它为25 Gbps和100 Gbps光接收器出样两个25 Gbps CMOS跨阻放大器(TIA)。据该公司称,HLR25G0针对PIN光电二极管应用,HLR25G1“最适合”基于雪崩光电二极管(APD)的设计。这两款TIA尺寸均为0.7x1.05 mm,并且经过优化,可以在TO-can组件和板上芯片(COB)应用中使用。
HiLight Semiconductor宣布了HLR10G1的已经可以批量生产,一种是11.3-Gbps CMOS放大器(TIA),可用于10-Gbps雪崩光电二极管(APDs),以提供先进的灵敏度性能。
HiLight Semiconductor公司表示,CMOS“combo”ICs系列的第一批成员的工程样品和参考工具包现在已经可以使用了,该系列支持1,2.5和10或者12.5Gbps的速率。低功耗和完全可编程,HLC10Px系列支持所有的PON市场,以及未来的VCSEL和FP/DFB版本的以太网,CPRI,以及相关的应用。
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