HiLight Semiconductor宣布推出PIN和APD应用的25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs)

  ICCSZ讯 HiLight宣布推出用于25Gbps和100Gbps光接收器的两新款25Gbps CMOS跨阻放大器(TIAs)，其中HLR25G0适于PIN光电二极管应用，而HLR25G1则适于APD雪崩光电二极管应用。两款TIA均采用精密的纯CMOS工艺设计制造，尺寸仅有0.7mmx1.05mm，焊盘位置适应性强，需要极少的外围物料(BOM)，特别适于低成本TO-CAN组件和板上贴装技术(COB)。

  HLR25G0非常适合于降成本需要的TO-CAN和COB应用，尤其是25G和100G光接收机中常见的袖珍型TO33。HLR25G0具有增益可调和PD输入电容可选功能，扩展了可用的PD结电容范围，使HLR25G0能够与多种类型PD配合并且在各种TO型式(5、6或7脚)中使用。HLR25G0在全温度范围内灵敏度优于-17dBm(4.5dB ER, BER 5E-5, CPD = 70 fF)已在相关测试中得到证实。

  尤其值得指出的是，HLR25G0满足行业标准所需的过载要求,ER=4.5dB时输入功率在+4.5dBm无误码。

  HLR25G1是针对雪崩光电二极管接收器设计的跨阻放大器(TIA)，其灵敏度在TO-CAN ROSA中优于-24dBm(BER 5E-5)，特别适用对灵敏度要求很高的10km或更长传输距离的应用。

  这两款TIA可用于各种25Gps和100Gbps应用，也特别适合目前竞争激烈的5G CPRI无线通信市场，有利于客户降低材料和组装成本。两款TIA内嵌对关键参数的数码温度补偿功能，可在整个工作温度范围内保持出色的灵敏度和过载性能。

  HiLight已有完整的应用于10Gbps数据通信、移动通信和10G PON光收发器的TIA和Combo ICs方案，现在推出的这两款纯COMS 25G TIA把HiLight的PMD IC产品延伸到了25G市场。

  有兴趣的客户请联系当地的销售代表以获取更多信息, TIAs本月底开始量产。

  HiLight营销副总 Christian Rookes评论道：“HiLight目前已有一系列高性能、高性价比、高集成度的CMOS方案提供给10G SR、LR、PON这些大容量的市场，现在推出的高灵敏度纯CMOS工艺25G TIAs具有前所未有的数字控制和可编程功能实现了技术的革新，这两款TIA还有灵活的焊盘位置能够让客户在TO-CAN、COB或者混合的组件中使用。

  HiLight销售副总Jess Brown评论道:“我们非常高兴能够为客户提供性能领先、集成度高、BOM成本低的纯COMS方案。HiLight延续“first to CMOS”的理念，凭借领先的CMOS技术持续推出全新的高速TIA，年复一年为客户提供仅CMOS工艺12英寸晶圆能够做到的成本逐年下降的福利。”

  关于HiLight Semiconductor Limited：

  HiLight半导体是一家有风投机构投资的Fabless芯片设计公司，2012年由有丰富初创企业经验的人员所创立。专注于纳米级CMOS工艺设计并提供用于高速光纤通信和网络/数据中心应用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  HiLight有望在今年达到出货量1亿个芯片的里程碑。

  HiLight的总部位于英国南安普敦，在英国布里斯托尔设有设计中心，并在中国大陆(深圳，武汉)、台湾和日本设有销售以及技术支持办事处。