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【西欧】英国CIP发布新型40Gbps SOA 11/24/2005，英国集成光子中心 CIP 日前推出具有最佳非线性特性的基于InP多量子阱技术的蝶形封装外温度控制半导体光放大器SOA SOA-NL-OE http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/11/25/20051125094906234375.htm 2005/11/25
CyOptics发布遵循MSA标准的2.5G10G TOSA 领先的InP芯片和有源光器件供应商CyOptics今天宣布推出新一代高性能制冷型1550-nm发射器光子系统（TOSA）系列产品。该公司表示这些TOSA可以满足任何一项2.5G/10G多源协议（MSA http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/09/19/20050919085819843750.htm 2005/9/19
MetroPhotonics 拍卖InP制造设备 7/29/2005，Lightreading消息，加拿大光集成产品供应商MetroPhotonics日前宣布放弃自己的InP制造能力，转而寻求成为专业的设计公司。该公司今天宣布由DoveBid公司在线 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/08/01/20050801103522171875.htm 2005/8/1
NLight宣布其InP激光棒输出功率创造世界新记录ay 在GaAs和InP材料系统的基础上开发高能高效激光器的nLight宣布他们从1cm的InP激光棒得到的输出功率创造了一项新的世界记录。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/04/04/20050404091647171875.htm 2005/4/4
Bookham发布内置InP MZ调制器的发射器模块领先的光器件、模块和子系统供应商Bookham日前推出了业界第一款集成InP MZ调制技术的24针发射光模块，型号为MT10EW。Bookham表示该模块具有同类产品最优的2. http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/03/22/20050322092655140625.htm 2005/3/22
T-Networks获得575万美元融资 10Gbps和40Gbps InP光发射机供应商T-Networks宣布完成C系列575万美元融资，使该公司总资金达到6000万美元。此轮融资的主要投资商包括TL投资公司，Grevlock伙伴公司，S http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/03/02/20050302102620078125.htm 2005/3/2
Eblana和Vitesse合作研究新的激光装配技术ay Eblana 光子公司和Vitesse半导体公司今天宣布达成合作协议，利用Vitesse的4英寸InP集成电路装配线来制造低阈值单模激光二极管。这两家公司准备采用已有的In http://www.iccsz.com/site/cn/news/2005/01/28/20050128120001937500.htm 2005/1/28
NTT开发出GaN系半导体面发光激光器 NTT尖端技术综合研究所开发出GaN系半导体面发光激光器，并在“NTT R&D论坛2004 in厚木”展示。过去曾用GaAs及InP工艺制造面发光激光器，但用GaN系制作电流注入型面发光激光器 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/10/20/20041020090606031250.htm 2004/10/20
MetroPhotonics将在深圳光电博览会上推出FTTx光集成芯片加拿大著名InP集成公司—— MetroPhotonics，在首次参加的深圳第六届国际光电博览会上将推出多方位产品线。在其中国代理北京凌云的展台(A厅No.169~172 and 253 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/08/26/20040826095533812500.htm 2004/8/26
Microsemi的光敏二极管面向1,550nm光纤网络模拟混合信号IC制造商Microsemi公司近日推出一款共面波导光敏二极管LX3055。该产品适用于高带宽单模光纤网络应用。　　LX3055 InGaAs/InP PIN光敏二极 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/08/11/20040811091020078125.htm 2004/8/11
富士通研144Gbps光通信选择器电路据日经BP社的报道，富士通研究所日前使用InP-HEMT技术，成功地开发出了在数字电路中全球最快的144Gbit/秒选择器电路和100Gbit/秒4对1多路复用器 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2004/06/14/20040614081731609375.htm 2004/6/14
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【西欧】英国CIP发布新型40Gbps SOA

11/24/2005，英国集成光子中心 CIP 日前推出具有最佳非线性特性的基于InP多量子阱技术的蝶形封装外温度控制半导体光放大器SOA SOA-NL-OE

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MetroPhotonics 拍卖InP制造设备

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领先的光器件、模块和子系统供应商Bookham日前推出了业界第一款集成InP MZ调制技术的24针发射光模块，型号为MT10EW。Bookham表示该模块具有同类产品最优的2.

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NTT开发出GaN系半导体面发光激光器

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富士通研144Gbps光通信选择器电路

据日经BP社的报道，富士通研究所日前使用InP-HEMT技术，成功地开发出了在数字电路中全球最快的144Gbit/秒选择器电路和100Gbit/秒4对1多路复用器

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