Eblana 光子公司和Vitesse半导体公司今天宣布达成合作协议,利用Vitesse的4英寸InP集成电路装配线来制造低阈值单模激光二极管。
这两家公司准备采用已有的InP IC生产设备和工艺来装配2.5-Gbit/sec,单波长的激光二极管。这些激光器在温度T= 25°C时,输出单波长激光,波长λ = 1.54 μ m (micron),阈值电流为12 mA。发射功率为20mW 时,其边模抑制比(SMSR)好于40 dB。
Vitesse计划使用其标准的VIP-2 InP HBT工艺,结合Eblana的可再生激光技术平台来制作激光器。按照这两家公司的说法,这种激光器的制造工艺具有划时代的意义,将对通讯行业产生重大影响:
• 短期而言,它可以大幅度降低生产成本,这是因为这种工艺是借助于成熟的电子制造平台,仅仅利用IC制造工具和工艺,以及相关的工艺控制体制就能完成。
• 该技术可实现人们所需的光子集成等级,推动FTTP和GbE在接入和企业网络的发展。
• 长期而言,通过将成熟的InP电路技术和突破性InP激光器技术相结合,则产生出更多新型器件和应用。
Vitesse的副总裁Ray Milano先生表示:“Eblana通过研制出一种类似DFB性能的,采用标准IC工艺制造的器件解决了激光器制造过程中的一个关键问题,另外,由于Eblana的技术平台仅仅采用标准的电子设计规则和成熟工艺,那产品的性能和一致性都得到有效保证。这项技术也将对光收发器的制造产生重大而积极的影响。”
-------光纤新闻网