NTT开发出GaN系半导体面发光激光器

NTT尖端技术综合研究所开发出GaN系半导体面发光激光器，并在“NTT R&D论坛2004 in厚木”展示。过去曾用GaAs及InP工艺制造面发光激光器，但用GaN系制作电流注入型面发光激光器尚属首次。激光发光波长为405nm。

该产品在同一块基板上制作沿基板水平方向发射激光的元件和用来反射激光的反光镜。激光受反光镜反射后与基板呈64°角形成面发光。为了在同一块基板上形成上述两零件，首先用干蚀刻（dry etching）加工SiC基板上的GaN系半导体，然后再生长p型GaN。再生长后与基板垂直的面为激光发射部分，与基板呈64°角的面为反光镜部分。通过蒸镀铝使反光镜部分的反射率提高到95%左右。

由于可在同一基板上制作多个激光元件和反光镜，因此可减少发射激光的位置公差和反射角度公差。如果并用多个该激光元件，将能够实现可高速读写的光盘、可高速打印的激光打印机以及高亮度投影机。

今后的课题是如何降低阈值电流和实现连续振荡。目前的阈值电流高达1.45A，必须将其减小到几十mA。目前还未实现连续振荡，只能实现脉冲振荡。