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彭博:台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳
米芯
片
据彭博报道,台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳
米芯
片,单月产能 5.5 万片起。据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/11/25/20201125011258428029.htm
2020/11/25
台积电四季度营收预期再创新高,全年收入或可达450亿美元
台积电近日发布今年第四季度业绩指导。该公司首席财务官黄仁昭(Wendell Huang)表示,基于市场对5纳
米芯
片的强劲需求,台积电预期四季度的营收将再创新高。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/10/21/20201021012056235654.htm
2020/10/21
中兴通讯7纳
米芯
片规模量产 高端芯片赛道追赶仍需时日
中兴通讯副总裁李晖在第三届数字中国峰会上透露,在5G无线基站、交换机等设备的主控芯片上,中兴自研的7纳
米芯
片已实现市场商用,5纳米还在实验阶段。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/10/12/20201012023653881387.htm
2020/10/12
米芯
科技高速产品亮相光博会 打造国产芯片中坚力量
CIOE中国光博会期间,光纤通讯产业链汇聚一堂,国内外厂商展示各自先进产品和解决方案。高速光模块电芯片提供商
米芯
科技(Minisilicon)多款优秀高速光模块收发芯片及产品组合亮相光博会,携手光通信产业链和客户展开交流合作,致力于打造国产芯片的中坚力量。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/09/28/20200928060311704894.htm
2020/9/28
台积电明年将开设新研发中心:8000名工程师,研究2nm芯片
台积电高级副总裁 Kevin Zhang 在预先录制的视频中表示,新的台湾研发中心将运营一条先进生产线,拥有 8000 名工程师。此外,台积电高级副总裁 Y.P. Chin 在另一段预先录制的视频中表示,该设施将专注于研究 2 纳
米芯
片等产品。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/08/25/20200825054956664249.htm
2020/8/25
台积电 3nm 芯片工艺于 2022 年投产,将生产苹果 A16 芯片
6 月 10 日消息,据国外媒体报道,台积电将于 2022 年末开始使用 3 纳
米芯
片制造工艺技术生产芯片,并在改进目前的 5 纳
米芯
片制造工艺技术。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/06/10/20200610080008081891.htm
2020/6/10
对抗台积电 三星5纳
米芯
片代工生产线动工明年投产
三星电子的第六条国内芯片代工生产线已经动工,将生产逻辑芯片。三星此举旨在降低对于不稳定的存储芯片领域的依赖。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/05/21/20200521102105199931.htm
2020/5/21
在美国建设2nm芯片工厂?台积电:还在评估,无具体计划
日媒报道称,美国政府以安全考量为由,希望全球最大晶圆代工厂台积电在美国进行生产,台积电正加快评估是否在美国设置先进的2纳
米芯
片工厂。对此,台积电表示,赴美设厂还在评估中,并无新进展,目前尚无具体计划,一切将依客户需求考量。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/03/18/20200318011740197597.htm
2020/3/18
英特尔发力5G市场:推10纳米基站芯片、加速器和网卡
英特尔周一发布了新的微处理器,包括一款用于无线5G基站的10纳
米芯
片,以及用于数据中心的第二代至强(Xeon)处理器。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2020/02/25/20200225063844004004.htm
2020/2/25
8月日本光纤产品实际出货量为7526千
米芯
线
8月日本光纤产品实际出货量为7526千
米芯
线(光纤长度),同比增加2.9%,时隔三月有所增加。
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2014/10/22/20141022004433034633.htm
2014/10/22
OFS推出新型62.5微米HCS多模光纤
8月14日消息,OFS特种光子业务部门近日宣布推出带有硬硅土外包层HCS(Hard Clad Silica)的62.5微
米芯
径200微米包层光
http://www.iccsz.com/site/cn/news/2007/08/15/20070815090636531250.htm
2007/8/15
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