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据彭博报道,台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片,单月产能 5.5 万片起。据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。
台积电近日发布今年第四季度业绩指导。该公司首席财务官黄仁昭(Wendell Huang)表示,基于市场对5纳米芯片的强劲需求,台积电预期四季度的营收将再创新高。
中兴通讯副总裁李晖在第三届数字中国峰会上透露,在5G无线基站、交换机等设备的主控芯片上,中兴自研的7纳米芯片已实现市场商用,5纳米还在实验阶段。
CIOE中国光博会期间,光纤通讯产业链汇聚一堂,国内外厂商展示各自先进产品和解决方案。高速光模块电芯片提供商米芯科技(Minisilicon)多款优秀高速光模块收发芯片及产品组合亮相光博会,携手光通信产业链和客户展开交流合作,致力于打造国产芯片的中坚力量。
台积电高级副总裁 Kevin Zhang 在预先录制的视频中表示,新的台湾研发中心将运营一条先进生产线,拥有 8000 名工程师。此外,台积电高级副总裁 Y.P. Chin 在另一段预先录制的视频中表示,该设施将专注于研究 2 纳米芯片等产品。
6 月 10 日消息,据国外媒体报道,台积电将于 2022 年末开始使用 3 纳米芯片制造工艺技术生产芯片,并在改进目前的 5 纳米芯片制造工艺技术。
三星电子的第六条国内芯片代工生产线已经动工,将生产逻辑芯片。三星此举旨在降低对于不稳定的存储芯片领域的依赖。
日媒报道称,美国政府以安全考量为由,希望全球最大晶圆代工厂台积电在美国进行生产,台积电正加快评估是否在美国设置先进的2纳米芯片工厂。对此,台积电表示,赴美设厂还在评估中,并无新进展,目前尚无具体计划,一切将依客户需求考量。
英特尔周一发布了新的微处理器,包括一款用于无线5G基站的10纳米芯片,以及用于数据中心的第二代至强(Xeon)处理器。
8月日本光纤产品实际出货量为7526千米芯线(光纤长度),同比增加2.9%,时隔三月有所增加。
8月14日消息,OFS特种光子业务部门近日宣布推出带有硬硅土外包层HCS(Hard Clad Silica)的62.5微米芯径200微米包层光
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