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彭博:台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片

摘要:据彭博报道,台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片,单月产能 5.5 万片起。据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。

  ICC讯 据彭博报道,台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片,单月产能 5.5 万片起。

  报道援引台积电董事长刘德音称,3纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约2万人,目前为1.5万人。

  今年 8 月份,台积电高级副总裁米玉杰表示,该公司有计划继续提供有意义的节点改进,直到 N3 及以下。台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。与 N5 相比,收益同样不大,性能仅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。这些增益是相对于 N5 而言的,而不是 N5P。与 7 纳米相比,N3 在同样的功率下,性能应该提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同样的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。在这些比较中,你看到的所有倍数都是假设一个理想化的晶体管,并不一定符合 AMD、英特尔甚至英特尔实际制造的产品。

  据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。

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