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5G时代，砷化镓PA会被取替？到了5G时代，第二代半导体材料砷化镓已经无法满足更高传输效率、更大输出功能、更强更稳定的散热、更少电阻、更小体积的需求，第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)的需求因应而生，很不幸的，第二代砷化镓芯片已经面临被取代被淘汰的命运。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/05/14/20190514030135492308.htm 2019/5/14
II-VI与SEDI合作打造150mm晶圆制造平台 II-VI日前宣布与SEDI进行战略合作，将SEDI业界领先的HEMT器件技术与公司的150mm制造平台相结合，打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台，来制造最先进的碳化硅衬底氮化镓HEMT器件，支持下一代无线网络需求。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/10/30/20181030015919714760.htm 2018/10/30
三菱电机在武汉举行绿色创新技术展2013 11月20日，三菱电机在武汉市举行绿色创新技术展2013，展出三菱电机在功率半导体、碳化硅器件及其他在工业创新上的领先科技，吸引超过400名专业人士到场参观及交流。 http://www.iccsz.com/site/cn/news/2013/11/21/20131121003135004800.htm 2013/11/21
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5G时代，砷化镓PA会被取替？

到了5G时代，第二代半导体材料砷化镓已经无法满足更高传输效率、更大输出功能、更强更稳定的散热、更少电阻、更小体积的需求，第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)的需求因应而生，很不幸的，第二代砷化镓芯片已经面临被取代被淘汰的命运。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2019/05/14/20190514030135492308.htm 2019/5/14

II-VI日前宣布与SEDI进行战略合作，将SEDI业界领先的HEMT器件技术与公司的150mm制造平台相结合，打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台，来制造最先进的碳化硅衬底氮化镓HEMT器件，支持下一代无线网络需求。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2018/10/30/20181030015919714760.htm 2018/10/30

11月20日，三菱电机在武汉市举行绿色创新技术展2013，展出三菱电机在功率半导体、碳化硅器件及其他在工业创新上的领先科技，吸引超过400名专业人士到场参观及交流。

http://www.iccsz.com/site/cn/news/2013/11/21/20131121003135004800.htm 2013/11/21

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