3月22日，由成都市双流区人民政府主办，成都双流5G产业创新联盟、成都优博创通信技术股份有限公司、深圳市讯石信息咨询有限公司、成都市双流区新经济和科技局承办的“成都市双流区5G产业创新联盟成立大会”在成都市双流区星宸航都国际酒店举办。会上我们有幸邀请到了中国联通张贺主任，优博创的卢勇博士、SiFotonics的首席运营官于让尘博士、Corning的陈皓陈总、Source的肖庆肖总来参与本论坛的讨论。本次论坛由中国联通的张贺主任主持。

日本一个研究组最近在Optics Express报道了他们基于硅光芯片实现光学扫描器(optical scanner)的工作。光耦入进芯片后，通过光开关阵列(optical switch array)选择不同的路径。光场最终通过光栅耦合器阵列(grating array)耦出芯片。光栅耦合器位于透镜的焦平面上。光场从不同位置的耦合器射出，决定了最终光束的出射角度。

海信宽带首席科学家黄卫平应邀在“2018西安国际光电子集成技术论坛”上发表演讲——《光电集成技术与光收发模块：跨越现实与理想的鸿沟》，黄首席从光电集成技术的现状与趋势谈起，对未来光收发器技术存在的挑战、优势作出了分析与预测，博得会场内及会议直播间观众的广泛关注。

9月3日，江苏亨通光电股份有限公司发布公告，公司与英国洛克利硅光子公司合作的 100G 硅光子模块项目完成了100Gbps 硅光芯片的首件试制和可靠性测试，完成了硅光子芯片测试平台搭建。2017年12月，公司与英国洛克利硅光子公司共同出资，设立江苏亨通洛克利科技有限公司，从事25/100G硅光模块生产销售。

光学微处理器有朝一日可提供光速般的计算能力，而新研究表明，我们可以生产硅纳米线，从而选择性地透射不同颜色的光。在进一步开发后，即可在具有全光学互联的纳米级工艺节点处，构建封装相应的电子元件。许多科技爱好者们都知道，与传统的铜缆相比，光缆可以提供更高的带宽和速度。光速被认为是任何类型运动的理论速度极限。

深圳科创委即日公示一批2018年深圳重大科技攻关项目，由易飞扬领衔，国内三家机构参与的应用于数据中心的400G硅光芯片关键技术研发赫然在列。该项目在公示后将获得政府的实质研发资助。

做过光芯片测试的同学应该都深有体会，使用手动耦合平台，一天时间内测试的结构非常有限，效率非常低，更不用提实验中可能还会出现一些幺蛾子。如果硅光芯片开始大批量生产，如此低效率的测试显然需要改善，必须采用高速、有效、可靠的测试方案。本篇笔记整理了一些用于晶圆级测试的方案。

在对高速硅光芯片研发持续大量投入的基础上, SiFotonics正式宣布成功开发新一代硅光波导型高灵敏度雪崩探测器 (APD) 芯片WA6001，该芯片成功实现了低暗电流 (10nA)，高响应度(0.6A/W，包含了波导耦合损耗)和3-dB带宽56GHz，高性能APD方案将助力400GbE数据中心和5G无线应用的加速到来。

据悉，中国电子科技集团公司第38研究所与中科院微电子所、半导体所、武汉邮电科学院合力在硅光芯片制造平台上有了重大进展，这意味着，国产硅光芯片将不需要借助国外平台流片，并有望协助集成电路产业实现“弯道超越”。接下来，该平台的“升级版本”将落户合肥综合性国家科学中心的联合微电子中心。

SiFotonics Technologies宣布其硅光PD/APD芯片相关产品已经过市场检验逐渐走向成熟，将借助硅光子技术显著的成本优势全面进入传统光器件市场。

SiFotonics Technologies，目前国际硅光技术领域领先企业之一，近期正式发布25G锗硅雪崩光电探测器芯片(Ge/Si APD)AP2005，其1310nm灵敏度达到-22.5dBm，为目前业界25G探测器的最高水平，此性能相继得到日本顶尖光通信公司验证，目前已开始小批量出货。