Infinera宣布，计划向其客户提供ICE-X智能相干可插拔器件和复合半导体组件，这些器件将在美国制造，并符合美国商务部最近发布的宽带公平、接入和部署(BEAD)计划的“建造美国、购买美国”要求。利用其位于加州的国内光学化合物半导体制造工厂和位于宾夕法尼亚州的先进测试和封装工厂，Infinera的相干光学解决方案使网络运营商能够有效地扩展其网络，降低每比特成本和每比特功率，同时帮助他们满足“建造美国，购买美国”的要求。Infinera在美国的半导体生产也提供了更好的供应链安全性和弹性。

泰克科技和矽电半导体成立测试测量联合实验室，旨在强化国产化合物半导体功率器件测试验证的能力，进一步探究和优化基于高精度和高吞吐率下的一过性解决方案构筑国产化合物半导体功率器件测试验证的能力基石

作为国内领先的光通信及半导体测试设备提供商，武汉普赛斯携功率器件测试用脉冲源表、1000A高电流脉冲电源(多台并联至6000A)、3.5kV高压源测单元(可拓展至10KV)，以及100ns Lidar VCSEL wafer测试机亮相首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业发展大会。公司副总经理王承受邀带来了《 功率器件静态参数测试影响因素探究》主题分享。

4月20日，首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会开幕。干勇、尤政、郝跃、祝世宁、罗毅、封东来、Lars Samuelson等海内外院士、专家、企业嘉宾共1200余人参会，聚焦全球化合物半导体发展态势，探索未来合作发展方向。

在湖北省和武汉市政府支持下，由武汉东湖新技术开发区管理委员会、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、九峰山实验室、光谷集成电路创新平台联盟共同主办的“首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业发展大会”将于4月19-21日在武汉召开。

中晟光电位于临港的研发和生产基地建设项目主体结构顺利封顶,可实现年产化合物半导体120台MOCVD设备，研发中心将具备完整的第二代、第三代半导体材料研发测试，覆盖各种MOCVD设备技术和工艺研发/产业化的综合能力。

长光华芯投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台，形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8寸器件封测生产线建设)。

Yole预测，在功率和光子学应用的强劲驱动下，2027年全球CS衬底市场将达24亿美元，从2021年至2027年间，该市场的年复合增长率为16%。

本文的链路设计案例的验证，将使用新型的光电子链路级仿真软件pSim。pSim可用于硅基光电子、化合物半导体光电子以及光互连模块、异质整合的设计，实现高效、准确的仿真结果。

美国研究团队开创三五族化合物半导体与铌酸锂两种材料体系的新融合技术，把薄膜铌酸锂外腔引进到片上激光器，制备出调频速度达1018Hz/s量级的窄线宽激光器，以及首个通信与可见光同时激射的集成激光器。

宽带隙化合物半导体的领导者II-VI公司宣布完成了一项价值超过1亿美元的合同，向东莞市天域半导体科技有限公司提供150毫米的碳化硅基片。