新加坡先进微晶圆厂（Advanced Micro Foundry，AMF），一家从IME独立出来的新兴企业，专注于提供硅光子代工能力，宣布推出多层级硅基氮化硅（SiN-on-Si）的光子集成电路（PIC）平台。该平台实现了3D光子纳米结构的密集集成，该公司称其可实现小尺寸、低损耗、性能升级和制造公差。

II-VI日前宣布与SEDI进行战略合作，将SEDI业界领先的HEMT器件技术与公司的150mm制造平台相结合，打造一个垂直整合的150mm晶圆制造平台，来制造最先进的碳化硅衬底氮化镓HEMT器件，支持下一代无线网络需求。

上海鸿辉光通科技股份有限公司创建于2001年，注册资金 13000万元，年产值近8亿元， 主要从事光通信行业产品的研发、生产与销售。主要产品有光缆用光纤填充材料、光缆阻水填充材料、无源器件PLC平面波导晶圆、芯片、PLC光分路器、MPO连接器及其它跳线、光纤适配器、ODN产品、MEMS芯片及可调光衰减器、可调光滤波器、光开关、传感器等。

受下游客户调节库存影响，台湾砷化镓晶圆代工大厂稳懋9月营收同比下滑18.15%至13.16亿元(新台币)，第三季营收同比下滑7.74%，是公司近6个季度以来首度衰退。

在第二十届中国国际光电博览会(CIOE)上，讯石编辑对先进专业光芯片制造商苏州苏纳光电有限公司最新光学晶圆和芯片产品进行了采访，苏纳光电副总经理任雪勇博士表示公司在2018年推出了新产品，旨在抓住市场对光通信和光传感芯片的火热需求。

近日，美国工程院院士、加州大学圣芭芭拉分校John Bowers教授带领的光电研究团队研发出可直接调制的硅上量子点微型激光器。该激光器通过外延生长，集成在与CMOS工艺兼容的硅晶圆上。利用量子点特有的衬底缺陷影响、侧壁非辐射复合影响被减小的优异性能，并通过缓冲层的优化以减少III-V族材料与硅晶圆界面的位错密度，该课题组在存在着反向畴、晶格失配和热膨胀系数不同等巨大差异的异质生长材料体系上实现了优异的激光器性能：1.3 μm通讯波段的单模激射、同时兼具103 K特征温度的高温工作环境稳定性及3 mA的低阈值电流、6.5 GHz的3 dB带宽。

全球领先的光网络方案提供商II-VI高意公司于7月9日宣布计划扩大其980 nm泵浦激光器线的产能, 以满足客户对其差异化产品增长需求。这些生产线包括位于瑞士苏黎世的晶圆厂，菲律宾卡兰巴的芯片组装厂，以及位于中国深圳的泵浦激光模块组装厂。为配合产能扩充，保证供应的长期稳定性，高意已经和深圳工厂业主签订长期租用协议。

Fujitsu半导体有限公司(Fujitsu半导体)和全球领先的半导体代工厂UMC公司宣布，UMC将收购 Mie Fujitsu Semiconductor Limited (MIFS)的全部股份，MIFS公司之前是两家公司300mm晶圆代工合资企业。

模拟器件、微机电系统(MEMS)和射频芯片需求量的持续增加带来对直径是200毫米晶圆的芯片制造厂产能和设备需求的大增，且没有停止的迹象。

做过光芯片测试的同学应该都深有体会，使用手动耦合平台，一天时间内测试的结构非常有限，效率非常低，更不用提实验中可能还会出现一些幺蛾子。如果硅光芯片开始大批量生产，如此低效率的测试显然需要改善，必须采用高速、有效、可靠的测试方案。本篇笔记整理了一些用于晶圆级测试的方案。

5月7日消息，专注于晶圆级光芯片公司鲲游光电宣布完成A+轮融资，本轮由元璟资本、华登国际以及中科院旗下基金中科创星共同投资。