台积电2027年退出GaN代工 转向先进封装应对AI需求

  ICC讯  2025年7月3日，美国加州氮化镓（GaN）功率IC与碳化硅（SiC）技术公司Navitas Semiconductor宣布，已与中国台湾代工厂力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp）达成战略合作。力积电将于2026年上半年开始生产100V GaN产品，使用200mm硅晶圆。未来12-24个月内，Navitas现有的650V器件订单将从独家代工伙伴台积电逐步转移至力积电。

  这一变动源于台积电向Navitas发出的正式通知。根据Navitas提交给美国证券交易委员会（SEC）的8-K表格文件，台积电确认将于2027年7月底前全面终止GaN晶圆代工业务。Navitas表示，目前正在积极寻找并认证更多潜在供应商，以优化供应链布局并提升运营灵活性。

  市场研究机构TrendForce指出，台积电正集中资源开发面向AI应用的先进硅制程技术，逐步退出非核心业务。具体来看，台积电计划将新竹Fab 5厂（原GaN产线）改造为先进封装产线。通过复用现有洁净室设施，公司可快速扩充芯片基板封装（CoWoS）、晶圆堆叠（WoW）和晶圆级系统集成（WLSI）等技术的产能，以应对当前的市场需求激增。

  台湾《工商时报》分析认为，中国竞争对手的激烈价格战是促使台积电战略退出GaN领域的关键因素。由于GaN生产规模有限且利润微薄，该业务已不符合台积电的战略定位。金融服务机构Anue的数据显示，台积电目前6英寸GaN晶圆的月产能为3000-4000片，其中Navitas占据过半订单，安可半导体（Ancora Semi）也是其主要客户之一。

  Navitas强调，与力积电的合作将确保其产品路线图的延续性。力积电预计在2026年上半年实现100V GaN产品的量产，而650V器件的产能转移将在两年内分阶段完成。行业观察人士指出，台积电的退出可能加速GaN代工市场的格局重塑，中国代工厂商有望获得更多市场份额。

  值得注意的是，这并非台积电首次调整业务重心。近年来，公司已逐步退出CMOS图像传感器等成熟制程业务，将资源集中于3nm及以下先进制程的研发。分析师认为，随着AI芯片需求的爆炸式增长，台积电的产能调配决策体现了其"聚焦高附加值业务"的核心战略。

  目前，台积电尚未就GaN产线员工安置问题发表评论。业内预计，部分技术人员可能转岗至先进封装部门，其余人员或将通过自然减员方式逐步分流。公司发言人仅表示："我们将确保所有业务调整都符合员工权益保障要求。"