英飞凌推进300毫米氮化镓制造 巩固IDM市场领先地位

  ICC讯  随着氮化镓（GaN）半导体需求的持续增长，英飞凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先集成器件制造商（IDM）的地位。日前，公司宣布其可扩展的300毫米GaN晶圆制造进展顺利，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。此举将使英飞凌进一步扩大客户群，并强化其在GaN领域的领先优势。

  作为电力系统领域的领导者，英飞凌掌握了三种关键材料技术：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。GaN半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，能够实现更小型化的设计，从而降低智能手机充电器、工业及人形机器人、太阳能逆变器等电子设备的能耗和发热。

  英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“我们全面升级的300毫米GaN制造能力将使我们能够更快地为客户提供最高价值，同时推动硅基和GaN产品的成本趋近。在宣布突破300毫米GaN晶圆技术近一年后，我们很高兴看到转型进程按计划推进，并且行业已认识到英飞凌GaN技术的重要性，这得益于我们IDM战略的优势。”

  英飞凌的制造策略主要基于IDM模式，即拥有从设计、制造到最终产品销售的完整半导体生产流程。公司的自主制造战略是市场差异化的关键，提供了高质量、更快上市时间以及卓越的设计和开发灵活性等优势。英飞凌致力于支持其GaN客户，并可根据需求扩展产能，以满足他们对可靠GaN电源解决方案的需求。

  凭借技术领导力，英飞凌成为首家在其现有大规模制造基础设施中成功开发300毫米GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与成熟的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆的生产技术更先进，效率显著提高，因为更大的晶圆直径可使每片晶圆生产的芯片数量增加2.3倍。随着GaN功率半导体在工业、汽车、消费电子及计算与通信应用（如AI系统电源、太阳能逆变器、充电器、适配器和电机控制系统）中的快速普及，英飞凌庞大的GaN专家团队和最广泛的行业IP组合将成为关键支撑。

  市场分析师预计，到2030年，功率应用领域的GaN收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元（1）。英飞凌的专用制造产能和强大的产品组合（过去一年已发布40多款新GaN产品），使其成为寻求高质量GaN解决方案客户的首选合作伙伴。

  （1）Yole Group；《功率SiC和GaN化合物半导体市场监测》，2025年第二季度

  来源：www.infineon.com